低消費電力
DRAMのパフォーマンス向上に伴い、PCの熱対策も重要となってきます。エルピーダの70nmプロセスDRAMは従来品に比べ、高負荷時の発熱が10℃以上低くなっています。これにより冷却系のコスト低減やPCの静音化に貢献いたします。
<温度測定結果>
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90nmプロセス
SO-DIMM (℃) |
70nmプロセス
SO-DIMM (℃) |
温度差
(℃) |
| 低負荷時 |
PC1 |
74.80 |
64.90 |
9.90 |
| PC2 |
71.25 |
61.05 |
10.20 |
| 高負荷時 |
PC1 |
89.00 |
75.15 |
13.85 |
| PC2 |
81.05 |
69.90 |
11.15 |
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ノートPC2機種での実測値(メモリ:2GB SO-DIMM)
この低発熱とは、消費電力の少ないことを意味しており、ノートPCにおいては低発熱のメリットのみならず、バッテリー駆動時間の延長も期待できます。
次に実際の消費電力を比較してみましょう。

上のグラフはそれぞれ1Gビット/512MビットDDR2 SDRAM(×8ビット構成品)の消費電力実測値(IDD4)です。(当社比)
70nmプロセス品の消費電力は90nmプロセス品の60%以下に抑えられています。
エルピーダは他社に先駆けて70nmプロセス製品の量産を開始することで、高速動作、低発熱/低消費電力の製品をお届けしています。
DDR2-1066の高速動作
エルピーダの70nmプロセスDRAMは低電圧1.8VでDDR2-1066の高速動作が可能です。
DDR2-1066のパフォーマンスは90nmプロセスの最高速グレードとなるDDR2-800に比べ、メモリ単体で30%の速度向上、また現在主流となっているグラフィクス統合型チップセットでの描画速度改善にも効果を発揮します。
<3DMark2005>

<CrystalMark 2004R2>

システム:P5B-V (G965チップセット)
CPU:Intel® Core™ 2 Duo 1.86GHz
GFX:なし
チップセット内蔵グラフィクスコントローラでのベンチマークテスト結果ではDDR2-800(5-5-5)に比べ、10%以上の向上が見られました。
また、70nmプロセスDRAMはDDR2-1066駆動時でもDDR2-667(90nmプロセス製品)に較べ、消費電力を約15%削減しています。
エルピーダの70nmプロセスDRAMは高速性と低消費電力を両立する最先端製品です。

70nmプロセス製品の展開
エルピーダは今後、XDR DRAM、DDR SDRAM、さらには256Mビットの低容量品も70nmプロセス品の展開を進めていく計画です。エルピーダの70nmプロセスDRAMにご期待ください。
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| 近年の携帯電話は小型・軽量かつ高機能な端末の開発競争が激化しております。 |
エルピーダの70nmプロセスDRAMは低電圧1.8VでDDR2-1066の高速動作が可能です。 |
PC/サーバ用DRAM市場で巻き返し、300nm生産体制の増強と合せて供給能力を一気に拡大 |
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本資料において、電流値、動作速度、動作温度等、当社実測値を用いて説明していますが、記載されているデータなどは保証値ではありません。あくまで参考値として示したものです。 製品の保証値については,各データシートをご参照ください。 |
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