| 1999年 |
12月 |
登記設立（設立時商号はNEC日立メモリ株式会社） |
| 2000年 |
4月 |
0.11μmプロセス以下を使用したDRAM製品開発の事業を開始 |
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5月 |
エルピーダメモリ株式会社へ商号を変更（2000年9月、商号変更を発表） |
| 2001年 |
2月 |
300mmウェハ対応の自社工場（以下、「E300ファブ」という。）の建設に着工 |
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〃 |
国内市場に対する販売業務開始 |
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3月 |
海外市場（北米、欧州、アジア）に対する販売業務開始 |
| 2003年 |
1月 |
E300ファブでの試作を完了し、量産を開始 |
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3月 |
三菱電機（株）よりDRAM事業を譲り受け、開発エンジニアを受け入れ |
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〃 |
台湾のPowerchip Semiconductor Corporation（以下、「PSC社」という。）との間でDRAM購入契約を締結 |
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8月 |
PSC社と0.11μm プロセス以下のDRAM設計およびプロセス技術供与契約を締結 |
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9月 |
生産子会社、広島エルピーダメモリ株式会社（以下、「広島エルピーダ」という。）を設立 |
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11月 |
広島大学との間で、包括的研究協力に基本合意 |
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12月 |
中国を拠点とするファンダリ先であるSemiconductor Manufacturing International Corporationとの間で、同社へのDRAM生産委託に関し契約を締結 |
| 2004年 |
6月 |
E300ファブの増設に着手 |
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9月 |
広島エルピーダが広島日本電気（株）の所有する土地、建物、生産設備等の全資産を取得 |
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11月 |
東京証券取引所市場第一部に株式上場 |
| 2005年 |
2月 |
Ovonyx社との間で、相変化メモリに関する技術契約で基本合意 |
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7月 |
（株）アドバンテスト、Kingston Technology Japan, LLC、および台湾のPowertech Technology Inc.とウェハテスティングに関する新会社、株式会社テラプローブの設立で合意 |
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10月 |
E300ファブ エリア2での量産開始 |
| 2006年 |
1月 |
関西デザインセンターを設立 |
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2月 |
シンガポールのFTD Technology Pte. Ltd（以下、「FTD」という。）へ協力を依頼し、そのFTDの子会社として当社設計業務を行うEdison Semiconductor Pvt. Ltd（インド）の設立で合意 |
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7月 |
最先端の後工程技術開発や最先端パッケージ製造を担う新会社、秋田エルピーダメモリ株式会社（以下、「秋田エルピーダ」という。）を設立 |
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10月 |
東北デザインセンターを設立 |
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12月 |
世界初、70nmプロセスDRAM量産開始 |
| 2007年 |
1月 |
DRAM生産合弁会社（Rexchip Electronics Corporation）に関しPSC社と正式合意 |
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4月 |
IMECのCMOSリサーチプラットフォームに参加 |
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〃 |
広島エルピーダが200mmウェハ処理用装置をCension Semiconductor Manufacturing Corporationに譲渡 |
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〃 |
秋田エルピーダが世界最薄1.4mm、20段チップ積層パッケージ開発に成功 |
