用語解説
- ウェハ／シリコンウェハ／シリコン
- ウェハは、単結晶シリコンの塊（インゴット）から薄く切り出された円盤状のものの表面を研磨した薄い板で、半導体チップを製造するための直接材料となる。このウェハ上に複数のトランジスタ、キャパシタ（電荷を蓄える部品）、配線などを作り込み、電子回路を形成する。直径300mmウェハ1枚で数百個から数千個の半導体チップを製造することができる。
- ウェハテスト／プローブテスト／ウェハ検査
- 加工処理を終え、ウェハ上に作られた多数のLSIチップにプローブ（探針）の先端部分を当て、電気的特性を測定する。この測定結果により良品、不良品の選別を行う。
- 後工程
- 後工程はパッケージ組立と最終テストを行う工程を指す。組立工程では、半導体チップをウェハから切り離し、それを電気的に接続するための部材に取り付け、チップ内の配線に金属性のワイヤ等で接続、その後樹脂で封止するという一連の作業を行う。最終テストでは、樹脂で封止された半導体チップの性能を検査・選別し、信頼性の評価などを行う。
- 揮発性（volatile）⇔不揮発性（non-volatile）
- 揮発性とは電源を切るとメモリ内のデータが消えてしまう性質であり、不揮発性とは電源を切ってもメモリ内のデータが消えない性質。
- シンクロナスDRAM（シンクロナスディーラム：synchronous DRAM）
- SDRAM（エスディーラム）とも呼ばれる。SDRAMは、クロック信号（周期性のある信号）と同期して動作するタイプのDRAM。1クロック中に1ビットのデータを読み書きする機能を持つ。SDRAMの次の世代のDRAMとしてDDRがある。
- 相変化メモリ技術
- CD-ROMやDVDディスクに使用されている相変化材料を半導体メモリに応用する技術。この相変化材料はその凝固の仕方によって、電気に対する抵抗率が変化する。この抵抗率の違いを利用し、「0」と「1」のデータを識別する。同技術をDRAMに応用することにより、超低消費電力性と高速性を併せ持つメモリの実現が期待できる。
- ナノメートル（nm）
- ナノメートルは10億分の1メートル。半導体業界においては、微細加工技術の水準を表す単位として用いられ、値が小さくなるほどより高度な技術が必要となる。
- バイト（byte）
- データ量を表す単位で、8ビットで1バイトを成す。1ビットで「0」と「1」の2種類のデータを表現できるのに対し、1バイト（8ビット）では2の8乗である256種類のデータを表現できる。1バイトでアルファベット1文字が表現できる。
- パッケージ技術
- 半導体チップを用途に応じ、特殊なパッケージに収める技術。同一パッケージ内に複数のチップを積層するMCP(エムシーピー：Multi Chip Package)技術などがある。
詳細はこちら（http://www.elpida.com/ja/akita/tech.html）
- 半導体
- 半導体とは、電気を通しやすい「導体」と電気を通さない「絶縁体」の中間の性質を持つ物質を指す。電気の流れやすさは物質が持つ「抵抗」の大きさに関係し、この抵抗の大小によって「導体」「半導体」「絶縁体」に分かれる。今日では、こうした半導体物質（主にシリコン）を用いて作る電子回路を「半導体」と呼ぶことが多くなっている。
- ビット（bit）
- データ量を表す最小単位。電子機器においてデータは全て「0」と「1」の2値で表される。
- ファブレスメーカー
- 自社に製造ラインを持たず、製造を他社に委託して自社ブランドの製品販売を手掛ける企業。
- ファンダリ
- 半導体受託製造企業。ファブレスメーカーや半導体メーカーを主な顧客とし、顧客の開発する設計仕様で製造の前工程を請け負う。
- フラッシュメモリ
- ROMと呼ばれるメモリの一種。DRAM同様、比較的低コストで製造でき、大容量化にも優れている。フラッシュメモリは電源を切ってもデータが失われないため、主にデータやプログラムを保存する用途で使用され、SDカードやUSBメモリなどの製品になる。
- プレミアDRAM
- デジタル家電・モバイル機器向けに使われるDRAM製品に対する当社グループでの呼称。パソコン向けDRAM製品に比べて高度な技術力が必要とされ、この付加価値分、容量あたりの価格も高くなる傾向にある。
- 前工程
- 前工程は半導体製造工程のうち、ウェハ上にトランジスタやキャパシタ（電荷を蓄える部品）、配線などを形成し、その後ウェハテストするまでの工程を指す。
- メモリ
- コンピュータなどの電子機器を構成する部品のひとつで、データを記憶する役割を担う。
- モジュール
- 複数個のDRAMを搭載したプリント基板。DRAMのシステム実装が容易になる。現在はパソコンやサーバ用途としてDIMM（Dual Inline Memory Module）が用いられている。デスクトップパソコン向けのUnbuffered DIMM（アンバッファード ディム）、ノートパソコン向けのSO-DIMM（エスオー ディム：Small Outline DIMM）、サーバ向けのFB-DIMM（エフビー ディム：Fully Buffered DIMM）やRegistered DIMM（レジスタード ディム）などがある。
モジュールの一例：Unbuffered DIMM（左）とSO-DIMM（右）
- ロジック
- コンピュータなどの電子機器を構成する部品のひとつで、各種演算処理を行う。
- DDR（ディーディーアール：Double Data Rate）、DDR2、DDR3
- DDRはシンクロナスDRAM（SDRAM）の倍の読み書きスピードと低電圧を実現している。現在主流となっているDDR2はDDRの次の世代のメモリ規格であり、さらに次の世代のメモリ規格であるDDR3は2009年頃から主流になるとみられている。新しい規格であるほど、高速性と低電圧動作を実現する。
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SDRAM |
DDR |
DDR2 |
DDR3 |
| データ転送速度* |
100-200Mbps |
200-400Mbps |
400-800Mbps |
800-1600Mbps |
| 動作電圧 |
3.3V |
2.5V |
1.8V |
1.5V |
* Mbps = Mega bit per second：1秒間に何百万ビットのデータを送れるかを表す単位。
- 70ナノプロセス
- 髪の毛の千分の一の細さで半導体内部にある配線を加工する技術。当社グループの70ナノプロセスでは前世代の90nmプロセスと比較し、ウェハ1枚あたりのDRAM生産個数が約1.6倍となりコスト低減につながる。
- DRAM（ディーラム：Dynamic Random Access Memory）
- トランジスタとキャパシタ（電荷を蓄える部品）から構成されるメモリセルを有するメモリIC（集積回路）。データの書き込み、読み出し動作が高速で、集積度が高く、比較的低コストで製造できるのが利点。ただし一定周期でデータの再書き込みを行わなければ、データが消えてしまうデメリットもある。
詳細はこちら（http://www.elpida.com/ja/ir/dram.html）
- LSI（エルエスアイ）
- 大規模集積回路のことで、1チップに集積される素子数が数千から数百万以上のIC（集積回路）を指す。
- PRAM（ピーラム：Phase Change RAM）
- 米国Ovonyx社の相変化メモリ技術を使った次世代メモリで、相変化メモリとも呼ばれる。高速性と不揮発性を併せ持つ。
- ROM（ロム：Read Only Memory）⇔RAM（ラム：Random Access Memory）
- メモリはROMとRAMの2種類に大別され、ROMは電源を切ってもデータが失われないため、プログラムなどを格納する用途で使用される。一方、RAMは電源を切るとデータが失われるが、ROMに比べてデータの読み書き速度が速く、プログラムを実行するための作業領域として使用される。
- XDR™（エックスディーアール）
- 米国Rambus社が開発した超高速データ通信技術を使ったDRAM。現在主流となっているDDR2-667の約6倍の1秒当たり40億ビットのデータを送受信することができる。
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