Elpida Memory, Inc.

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＜別紙＞

本製品の主な仕様

製品名	：HB52RF648DC-B (PC133)、HB52RD648DC-B (PC100)
構成	：64Mワード×64ビット、2バンク
搭載デバイス	：HM5225805BTB（パッケージ：TCP）
製造プロセス	：0.18μm CMOS
電源電圧	：3.3±0.3 V
クロック周波数	：133MHz　(HB52RF648DC-B　CL3) 　100MHz　(HB52RD648DC-B　CL3、CL2)
動作温度範囲	：0～+60℃

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