Elpida Memory, Inc.
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本製品の主な仕様

製品名:

HB54R1G9F2U (1GB DIMM)
HB54A5129F1U (512MB DIMM)

構成:

128Mワード×72ビット、2バンク (HB54R1G9F2U)
64Mワード×72ビット、1バンク (HB54A5129F1U)

搭載デバイス:

HM5425401BTB(パッケージ: TCP)(HB54R1G9F2U)
HM5425401BTT(パッケージ: 66-pin TSOP ?)(HB54A5129F1U)

製造プロセス: 0.18μm CMOS
電源電圧(Vdd):

2.5±0.2 V

クロック周波数(max.):

133MHz(HB54R1G9F2U-B75B、HB54A5129F1U-B75B)
100MHz(HB54R1G9F2U-10B、HB54A5129F1U-10B)

動作温度範囲: 0〜+55℃

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