Elpida Memory, Inc.
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2001年12月17日
報道関係各位
エルピーダメモリ株式会社

最先端0.13μmプロセスを用いた512MビットDDR SDRAMのサンプル出荷開始

EDD5104ABTA/EDD5108ABTA (66-pin TSOP II) 512M Rev.B チップ写真

 エルピーダメモリ株式会社(本社:東京都中央区、社長:徳山賢二、以下エルピーダ)は0.13μmプロセスを用いた最先端DRAM、512MビットDDR(Double Data Rate)SDRAMのサンプル出荷を開始いたしました。

 このたびサンプル出荷を開始した新製品は128Mワード×4ビット構成の「EDD5104ABTA」および64Mワード×8ビット構成の「EDD5108ABTA」の2製品です。

[新製品の主な特徴]

  1. 最先端0.13ミクロンCMOS微細加工技術により512Mビットの大容量を実現
  2. 外部クロックの立ち上がり、立ち下がりに同期してデータの入出力を行うDDR方式により、1ピンあたり毎秒333Mビットのデータ転送レートを実現
  3. JEDEC標準の66ピン プラスチックTSOP II(10.16mm)パッケージを採用
  4. JEDEC標準のDDR SDRAM仕様に準拠

 近年、サーバー、ワークステーション、パソコン等の情報機器システムにおいて、CPUの飛躍的な高度化・高速化に伴い、メインメモリやグラフィクスメモリとして使用されているDRAMに対しても、大容量化・高速化が望まれています。当社はこのような市場のニーズに対応し、次世代を狙った大容量高速DRAMとして、512MビットDDR SDRAMを製品化しました。今後は、本製品を搭載したモジュールの製品化を進めていきます。

 なお、新製品の主な仕様は別紙をご覧下さい。

以 上

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