＜別紙＞

新製品の主な仕様

製品名：	EDD5104ABTA（128Mワード×4ビット） EDD5108ABTA（64Mワード×8ビット）
製造プロセス：	0.13μm CMOS
構成：	32Mワード×4ビット×4バンク（EDD5104ABTA） 16Mワード×8ビット×4バンク（EDD5108ABTA）
電源電圧（VDD）：	2.5±0.2 V
入出力電源電圧（VDDQ）：	2.5±0.2 V
インタフェース：	SSTL_2
最大動作周波数：	166MHz（CASレイテンシ＝2.5） 133MHz（CASレイテンシ＝2）
スピードグレード：	DDR333B（2.5-3-3 / CASレイテンシ-tRCD-tRP） DDR266（2-2-2） DDR266A（2-3-3）
バースト長：	2 / 4 / 8
CASレイテンシ：	2 / 2.5
リフレッシュ：	8Kサイクル/64ms
動作温度範囲：	0～+70℃
パッケージ：	66ピンプラスチックTSOP II（10.16mm）

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