Elpida Memory, Inc.
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新製品の主な仕様

製品名:

EDS1232AA
EDS1232CA

製造プロセス: 0.15μm CMOS
構成: 1Mワード×32ビット×4バンク
電源電圧(VDD): 3.3±0.3V(EDS1232AA)
2.5±0.2V(EDS1232CA)
クロック周波数:

166MHz(max.)(EDS1232AA、CASレイテンシ=3)
133MHz(max.)(EDS1232CA、CASレイテンシ=3)

動作温度範囲: 0〜+70℃
動作電流(IDD1):

135mA(EDS1232AA)
120mA(EDS1232CA)

セルフリフレッシュ電流(IDD6):

標準 2mA
ロウパワー 0.6mA

パッケージ:

90ボール FBGA (Fine Pitch Ball Grid Array) 8.0mm×13.0mm×1.1mm
86ピン TSOP (II) 22.2mm×11.76mm×1.2mm

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