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エルピーダメモリ株式会社（本社：東京中央区、社長：徳山賢二）はこのたび、533Mbpsのデータ転送能力を持つ1.8V動作512Mbit DDR2 SDRAMのサンプル出荷を開始いたしました。この仕様でのサンプル出荷は世界初となります。
512Mbit DDR2 SDRAMの製品化にあたっては、世界に先駆けて開発した0.13μmプロセス技術の採用とともに、エルピーダ独自の回路技術（過日VLSIシンポジウムにて発表）を開発して実現いたしました。
なお、新製品のサンプル価格は30,000円、量産出荷は2003年第１四半期を予定しています。
[新製品の主な特徴]
- 最先端0.13μm CMOSプロセスを採用し、1.8V±0.1Vという低電圧動作を実現
また、独自の回路技術により、１ピンあたり533Mbpsの高速動作が可能
- 高速動作時においても正確な信号伝播が可能なFBGAパッケージ
- DDR 266Mbpsと比較して、2倍の転送速度（533Mbps）に達しながら、消費電力はDDRの約70％と低消費電力
近年、サーバ／WS、ネットワーク機器等のハイエンドシステムにおいてメモリの転送速度がシステム全体の性能を決定づける傾向が強まっており、より高速動作が可能なDRAMが望まれています。一方、システムの高速動作化にともない消費電力は増加しており、デバイス自体の発熱により性能の向上が困難になりつつありました。
新製品はこの高速動作・低消費電力という相反するニーズに応える、あらゆるハイエンドシステムに最適なメモリです。さらに、高速動作・低消費電力は、PCのメインメモリへの要求としても高まりつつあります。DDR2 SDRAMはPCチップセットでのサポートも予定されており、近い将来、これらのアプリケーションでも主流となる見通しです。
新製品の主な仕様は別紙をご覧下さい。
以 上 |
