＜別紙＞ |
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新製品の主な仕様
| 容量 |
512Mbit |
| 製品名 |
EDE5104G（32Mワード×4ビット×4バンク）
EDE5108G（16Mワード×8ビット×4バンク）
EDE5116G（8Mワード×16ビット×4バンク） |
| 製造プロセス |
0.13μm CMOS |
| 電源電圧（VDD） |
1.8V±0.1V |
| 入出力電源電圧(VDDQ) |
1.8V±0.1V |
| クロック周波数 |
266MHz（CASレイテンシー4） |
| 動作温度範囲 |
0〜＋70℃ |
動作電流
(IDD1:ACT-READ-PRE) |
160mA (max.) |
動作電流
(IDD7:Bank interleaving) |
440mA (max.) |
| パッケージ |
FBGA (Fine pitch Ball Grid Array) |
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