|
 
エルピーダメモリ株式会社（本社：東京都中央区、社長：坂本幸雄）は、このたび、DDRとして最速の1ピンあたり400Mbpsのデータ転送能力を持つ256Mbit DDR400 SDRAMおよび256MB、512MBモジュール４製品のサンプル出荷を開始しました。
256Mbit DDR400 SDRAMは、弊社512Mbit DDR SDRAMの量産で実績のある0.13μmプロセス（注）技術を用いることにより、高速化のみならず業界トップクラスの低消費電力を実現いたしました。製造ラインでのDDR400派生率は70％以上を達成しており、本年４月以降、本格的な量産出荷が可能となっております。
モジュールはJEDEC標準仕様に準拠の184ピンUnbuffered DIMMで、容量256MBおよび512MB、それぞれにNon ECC仕様（×64ビット構成）およびECC仕様（×72ビット構成）をラインアップし、ハイエンドデスクトップPC、ワークステーションの双方に対応しております。
これらのシステムにおいてDDR400を採用することにより、DDR266／DDR333のアーキテクチャを大きく変更することなく、データ転送能力の向上が可能となります。
【新製品の主な特長】
- 最先端0.13μm CMOSプロセス（注）によるDDR400対応
- 電源電圧2.6V±0.1V、SSTL-2インターフェース
- データレート
256Mbit DDR SDRAM：400Mbps/pin
モジュール：3.2GB/秒（CAS Latency = 3）
- JEDEC準拠の184ピンUnbuffered DDR SDRAM DIMM 4品種のラインアップ
256MB（32Mワードx64ビット）1Rank構成
256MB（32Mワードx72ビット）1Rank構成
512MB（64Mワードx64ビット）2Rank構成
512MB（64Mワードx72ビット）2Rank構成
今後、512Mbit DDR400 SDRAMおよびDDR400搭載1GB Unbuffered DIMMの製品化も予定しております。
なお、新製品は2003年2月19日から米国サンノゼで開催されたIDF（Intel Developer Forum）にて紹介いたしました。
新製品の主な仕様は別紙をご覧下さい。
注：他社0.11μmプロセスに相当
以 上 |
