エルピーダメモリ株式会社ホームへ


製品検索




2003年3月13日

エルピーダメモリ株式会社

ハイパフォーマンス グラフィック用メモリ、32bit I/O 128Mbit「GDDR2-M」のサンプル出荷を開始

〜ATI社との共同開発によりトップクラスの低発熱・ロウパワー・ハイスピードを実現〜

DC0122A-40

エルピーダメモリ株式会社(本社:東京都中央区、社長:坂本幸雄)は、このたび、モバイルPCや高性能PC/WSの画像処理をはじめ、データのエンコードおよびデコードに最適な32bit I/O 128Mbit GDDR2-Mを開発、サンプル出荷を開始いたしました。

本製品はATI Technologies Inc.(ATI)と共同開発したData Inversion Technologyにより信号ノイズを約50%削減、さらに4bitプリフェッチ採用により1ピンあたり900Mbps(450MHz)の超高速動作を実現し、単体で容量16MB、データ転送速度3.6GB/secの要求性能を満足することができます。
 また、新方式のODT(On-Die Termination)搭載により消費電力と発熱を抑えるだけでなく、ボード上の部品点数を削減できるため、ボードにかかるコストを大幅に低減することが可能になります。

【新製品の主な特長】

●画像用途に最適化したGDDR2-M
 本製品は、次世代メインメモリとして開発されているDDR2に改良を加え、画像処理用途に最適化したものです。Data Inversion Technologyの採用により低ノイズでトップクラスのスピードとなる900Mbps/pin(450MHz)を実現しました。

●新開発Data Inversion Technologyにより信号ノイズ削減と超高速化を実現
 Data Inversion Technologyは、入出力方法を改善することによりコントローラとメモリ間で発生する信号ノイズを約50%削減させ、450MHzの超高速動作時でも安定した動作を実現することができます。

●新方式ODTにより消費電力・発熱・実装コストを削減
 ODT方式をpull-downタイプにすることにより、低消費電力を実現するだけでなく、発熱を抑えることにも非常に高い効果を上げています。また、ボード上の部品点数を削減できるため、ボード設計にかかる負担を大幅に軽減することが可能です。

近年PCグラフィックやゲーム機器あるいはデジタルコンシューマ機器の高性能化にともない、グラフィックメモリには高いバンド幅が要求されております。一方、高性能機器の小型化、モバイル化が進む中で、低消費電力化、低発熱化の要求も高まっております。新製品は、これらの相反する要求を同時に満足させるため、ATI社とエルピーダメモリが共同で開発したグラフィックメモリです。

当社は、さらに幅広いご要求にお応えするため、256Mbit品や16bit I/O品の開発も検討しております。

新製品の主な仕様は別紙をご覧ください。

以上

ニュースリリースに掲載されている情報は、発表日現在の情報です。その後予告なしに変更されることがございますので、あらかじめご了承ください。


© 2000-2009 Elpida Memory, Inc. All Rights Reserved.