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エルピーダメモリ株式会社（本社：東京中央区、社長：坂本 幸雄）はこのたび、大容量・超低消費電力の256Mビット モバイルRAMを世界で初めて製品化いたしました。
新製品はデータ転送方式として従来のシングル データレート（SDR）に加え、より高いデータ転送能力を必要とするアプリケーション向けにダブル データレート（DDR）製品をラインアップ。小型FBGAパッケージの他、チップ供給も行い、MCP（マルチ チップ パッケージ）／SIP（システム イン パッケージ）への搭載に対応します。
このたび製品化した256Mビット モバイルRAMは携帯電話を中心とするモバイル機器で大きな需要が見込まれており、現在10社以上のお客様と商談を進めております。
【新製品の主な特長】
- 業界トップレベルのテクノロジを駆使した低消費電流化回路により、同容量、同プロセスのDDR SDRAMに比べ1／10以下の低消費電力を実現。
- 最先端0.11μm CMOSプロセスを用い、256Mビットの大容量ながら 9mm×13mmの小型FBGA（ファイン ピッチ ボール グリッド アレイ）パッケージに封止、モバイル機器への高密度実装が可能。
- チップ供給により他デバイスとのMCP／SIP化に対応。これにより、さらなる省スペース化を実現いたします。
- 高速化のニーズに応え、DDRインターフェースをラインアップ。
クロック周波数100MHz（サイクルタイム10ns）で400MB（メガバイト）／秒の高速データ転送を実現。
- PASR（パーシャル アレイ セルフ リフレッシュ）、ディープ パワー ダウン等のローパワー機能に加え、Auto TCSR（自動温度補償セルフ リフレッシュ）（注）を搭載。
注：デバイスに内蔵された温度センサにより周囲温度に応じて自動的にリフレッシュ周期を変更する機能です。この機能により実効的にセルフ リフレッシュ時の消費電力を低減できます。
新製品の生産規模は、DDR／SDRの両製品で2003年9月以降 200万個／月を計画しております。
近年、携帯電話は動画、音楽、位置情報といった大容量データを高速に処理することが必要になってきております。特にここ最近、ほとんどの携帯電話にはカメラ機能が付き、その画素数も30万画素から一気に130万画素に増え、来年には200万画素、300万画素になると言われています。
このような背景のもと、大容量・高速・低消費電力を実現したメモリのニーズが高まっており、従来使われていたSRAMや擬似SRAMは低消費電力ではあるものの、高速化・大容量化が困難でありました。
新製品は、高速・大容量そして低消費電力のメモリというニーズに応える、携帯電話、モバイル機器に最適なメモリです。
新製品の主な仕様は別紙をご覧下さい。
以 上 |
