＜別紙＞

製品の主な仕様

製品名	DDR ・EDK2516CBBH（FBGAパッケージ）・ECK2516CBCN（チップ） SDR ・EDL2516CBBH（FBGAパッケージ）・ECL2516CBCN（チップ）
製造プロセス	0.11μm CMOS
構成	4Mワード×16ビット×4バンク
電源電圧(VDD)	1.8V±0.15V
入出力電源電圧（Vddq）	1.8V±0.15V
クロック周波数	100MHz
動作温度範囲	－25～＋85℃
ローパワー機能	・PASR (Partial Array Self Refresh) ・Deep power down ・Auto TCSR (Auto Temperature Compensated Self Refresh)
パッケージ	DDR ・60ボールFBGA (Fine-pitch Ball Grid Array) ・チップ SDR ・54ボールFBGA (Fine-pitch Ball Grid Array) ・チップ
パッケージサイズ	9mm×13mm×1.2mm (FBGA)

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