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2003年7月10日 東京発 -
チップ間インタフェースを開発、提供するラムバス社（Nasdaq:RMBS）は本日、株式会社東芝、エルピーダメモリ株式会社ともに、XDRTM DRAM（エックス ディー アール ディーラム）を発表いたしました。 これまでコードネームYellowstoneと呼ばれていたXDRメモリインタフェース技術は、3.2ギガヘルツ動作のXDR DRAMに搭載され、現在の高性能PCメモリと比べ8倍のバンド幅を実現することができます。 ラムバス社は今年初めに、ソニー株式会社と株式会社ソニー・コンピュータエンタテインメントが次世代ブロードバンドアプリケーション向けのセルにXDRメモリインタフェースを採用すると発表しております。
XDR DRAMファミリーは様々なアプリケーションに対応できるメモリソリューションとして開発されました。 XDR DRAMは現在、高バンド幅が必要なコンシューマ、グラフィック、ネットワーク機器向けのメモリソリューションとして利用されます。また将来的には、PCメインメモリ、サーバやモバイルシステムのメモリデータ転送速度に対する要求が高まった際、このような用途向けのメモリソリューションとしても期待されています。 XDR DRAMは、現在市場に出回っている高性能特定用途向けDRAMの性能を上回り、かつ汎用メモリとして低コスト化も実現可能です。 XDR DRAMは、DRAMの部品数を削減、かつ低コストの4層プリント基板とパッケージを利用するため、他のDRAMと同じデータ転送速度を実現しながらもシステムレベルでのコストダウンが可能です。
現在3.2GHzで動作するXDR DRAMは、将来的に 6.4GHz以上のデータ転送レートを実現し、最大100ギガバイト/秒のメモリシステムのデータ転送速度を可能にすることが見込まれています。XDR DRAMは、何種類かのスピードグレード、256メガビットから8ギガビットまでの記憶容量、またデバイスあたりの語長（データバス幅）は1ビットから32ビットまで構成をサポートしますので、高いバンド幅化と大容量システム両方に対応することができます。XDR DRAMで使われる革新的な接続方式では、高速化に対応しやすい１対１差動データ接続を使いながら、アドレス線はバス接続をおこないます。これにより、DRAMの個数は1個から36個までをサポートすることができます。
ラムバス社のMemory Interface Divisionの副社長であるLaura Stark（ローラ スターク）は、次のようにコメントしております。「我々ラムバス社は、XDR DRAMが業界のリーディングDRAMサプライヤのサポートを得られることが出来、非常に嬉しく思っております。 XDRファミリーは、斬新的なメモリシステムデザインで、データ転送速度のボトルネックが解消され、かつ次世代のブロードバンドシステムにも十分対応できる機能を兼ね備えております。 XDRメモリを採用することによってシステム機器設計者は、低コストで高性能なシステムを開発することが可能となります。」
DRAMチップやシステム設計に必要なモデル、コントローラIOセル、クロックジェネレータなどのXDR DRAMのインフラストラクチャのデータシートやデザインガイドはラムバス社より入手可能です。 チップのデザイン、システムへの統合から量産にいたるまで、ラムバス社は包括的なサービスとサポートを提供し、また異なるDRAMコンポーネントメーカ間のXDR DRAMの互換性も保証しています。
東芝、エルピーダメモリは、2004年にXDR DRAMを製品化、2005年に量産を予定しております。またXDR DRAMに関するさらに詳細な情報は、http://www.rambus.com/xdr より入手可能です。
注）Rambus, RaSer, FlexPhase, SO-RIMM, RIMM, RDRAM, Rambusロゴは、米国およびその他の国におけるラムバス社の商標もしくは登録商標です。その他記載されている製品名、会社名は、ラムバス社もしくは保有各社の登録商標または商標です。 |
