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ニュースルーム 2003年

2003年12月25日
企業情報
SMICと最先端DRAMの生産委託契約を締結
ファウンドリーの活用により、生産能力の大幅な増大を見込む
2003年12月19日
企業情報
ProMOSとの提携を凍結
2003年12月18日
企業情報
高速DRAMの実現に向け、新たなポリメタルゲート技術を開発
トランジスタの高速化、データ保持特性と長期信頼性向上を同時に達成
2003年12月11日
製品
1GビットDDR2 SDRAMのサンプル出荷を開始
次世代サーバプラットフォームに向け、モジュールでの出荷を開始
2003年11月28日
企業情報
広島大学とエルピーダメモリが包括的研究協力に基本合意
2003年11月13日
製品
最先端0.11μmプロセスで新設計、128Mビット(8M word×16)SDRAMのサンプル出荷を開始
デジタルコンシューマ機器向けDRAMラインアップの充実化、第一弾製品
2003年11月10日
企業情報
「日経優秀先端事業所賞」受賞のお知らせ
2003年11月4日
製品
世界初、DDR2 2GBレジスタードDIMMのサンプル出荷を開始
DDR2アーキテクチャにより 最高速、最大容量を実現
2003年10月28日
企業情報
生産能力増強資金の調達完了
2003年10月9日
製品
1Gビット DDR2 SDRAMの開発に成功
最高速、最大容量を実現した1Gビット DDR2-533
2003年9月16日
製品
1ギガバイトおよび512メガバイトのDDR2レジスタードDIMMをIntelへ出荷
Intel®の次世代サーバ プラットフォームであるLindenhurstチップセットでのブートに成功
2003年9月8日
製品
エルピーダのDDR2製品がキングストンテクノロジーのDDR2アンバッファドDIMMの検証試験に合格
2004年の高性能デスクトップPCをサポートする533MHz DDR2 DIMMの供給体制が整う
2003年9月2日
企業情報
インテルからの追加出資予定を発表
エルピーダは提案された出資で高性能DRAM製品の生産能力を増強
2003年8月27日
企業情報
エルピーダメモリと凸版印刷が半導体用フォトマスクの製造および先端マスクの共同開発における契約に基本合意
2003年8月26日
企業情報
広島エルピーダメモリ株式会社設立とNEC広島の生産機能移管について
2003年8月25日
製品
最高速(PC3200)かつ最大容量(1GB)のDDRモジュールのサンプル出荷を開始
新開発512Mbit DDR400 SDRAM搭載により、高性能を実現
2003年8月18日
企業情報
60億円の出資の決定
2003年7月10日
製品
ラムバス、東芝、エルピーダメモリの3 社が世界最速のメモリであるXDR™ DRAMを発表
現在の高性能PCメモリと比べ8倍のバンド幅を実現する3.2ギガヘルツ動作DRAM
2003年6月16日
製品
256Mビット コンシューマSDRAMを製品化
世界最小の実装面積、消費電力を実現
2003年6月5日
企業情報
年内815億円の投資の決定
2003年6月3日
企業情報
インテルがエルピーダメモリに1億米ドル出資
2003年5月26日
製品
世界初の256Mビット DDR/SDRモバイルRAMを製品化
携帯電話、モバイル機器向けに従来の1/10の消費電力を実現
2003年5月9日
製品
世界初、DDR2 SDRAMモジュール PC2-4300 (533Mbps)の実機動作に成功
米国インテル社にて実システム上での動作を確認
2003年5月6日
企業情報
ProMOSと基本合意を締結
2003年4月21日
製品
最高速PC2700 1GB DDR SODIMMのサンプル出荷を開始
ノートPC等の省スペース機器向けモジュールとして最高速かつ最大容量を実現
2003年3月24日
製品
次世代DRAM向けにラムバス社のYellowstoneインタフェースを採用
メモリ性能を飛躍的に増加させるYellowstone技術
2003年3月13日
製品
ハイパフォーマンス グラフィック用メモリ、
32bit I/O 128Mbit「GDDR2-M」のサンプル出荷を開始

ATI社との共同開発により低発熱・ロウパワー・ハイスピードを実現
2003年3月5日
企業情報
PSCと戦略的提携で合意
2003年2月19日
製品
256Mbit DDR400 SDRAMおよびDDR400搭載モジュールのサンプル出荷を開始
0.13μmプロセスの適用により、業界トップクラスの高速動作かつ低消費電力を実現
2003年1月27日
製品
1066MHz RDRAMがRambus®社の認定取得、サンプル出荷を開始
0.13μmの微細設計ルールを用いて開発
2003年1月6日
企業情報
SMICと0.13ミクロンDRAM生産委託で基本合意

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