＜別紙＞ |
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新製品の主な仕様
| 製品名 |
EDL5132CBMA-10-E |
| 製造プロセス |
0.11μm CMOS |
| 構成 |
4Mワード×32ビット×4バンク |
| 電源電圧(Vdd) |
1.8V＋0.15V／−0.1V |
| 入出力電源電圧(Vddq) |
1.8V＋0.15V／−0.1V |
| クロック周波数 |
100MHz |
| 動作温度範囲 |
−25〜＋85℃ |
| 動作電流（Idd1） |
80mA |
| セルフリフレッシュ電流（Idd6） |
800μA（Max.）/ 400μA（Typ.） |
| ロ−パワー機能 |
- PASR (Partial Array Self Refresh)
- DPD (Deep Power Down)
- Auto TCSR (Auto Temperature Compensated Self Refresh)
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| パッケージ |
90-ball FBGA (Fine pitch Ball Grid Array) |
| パッケージサイズ |
9mm×13mm×1.4mm (FBGA) |
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