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エルピーダメモリ株式会社（本社：東京都中央区、代表取締役社長 兼CEO：坂本幸雄 以下、エルピーダ）は、このたび、1GビットDDR2 SDRAMの800Mbps動作に成功しましたので発表いたします。
800Mbps動作のDRAMは、現在標準化がすすめられているDDR2-667（667Mbps動作）を上回る世界最高速のDRAMです。エルピーダがいちはやく達成したこの成果は、ハイエンドサーバマーケットでの重要なマイルストーンといえます。
800Mbps動作の1GビットDDR2 SDRAMは、100nmプロセスで量産している1GビットDRAMの高性能なトランジスタ特性を活かすべく、プロセスと回路設計の改良を施し高速化を図った製品です。配線の低抵抗化を考慮した新規レイアウトを適用し、高速動作を実現いたしました。また、この新規レイアウトの採用により配線容量を低減、1Gビットの大容量チップにもかかわらず、充放電電流を低く抑えることにも成功しています。
エルピーダはこの技術により、大容量DRAMで超高速動作と低消費電力を両立する設計手法を確立したといえます。
エルピーダはこのたびの成功を足がかりとし、今後ますます高バンド幅が必要とされるハイエンド機器の要求にお応えする高付加価値DRAMを展開してまいります。
以 上
ニュースリリースに掲載されている情報は、発表日現在の情報です。その後予告なしに変更されることがございますので、あらかじめご了承ください。
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