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＜メモリセル部の断面写真＞
エルピーダメモリ株式会社（本社：東京都中央区、代表取締役社長 兼CEO：坂本幸雄 以下、エルピーダ）は、このたび、90nm（0.09μm）プロセスの512MビットDDR2 SDRAMの開発を完了いたしました。
このたび開発した90nmプロセスの概要は次の通りです。
- KrFリソグラフィ (*1) を用いた90nm微細加工プロセス
DRAM製造における光リソグラフィは現在のところ、波長248nmのKrFエキシマレーザリソグラフィが主流となっています。エルピーダでは、この、すでに量産実績のあるこのKrFリソグラフィ技術を用いた90nmプロセス技術を開発いたしました。
- OPC（Optical Proximity Correction）技術 (*2) による歩留まり改善
100nm（0.10μm）品に比べ、メモリセルおよびその周辺の線幅、線間スペースは約90%に微細化されますが、OPC技術を駆使することで、歩留まりの改善を図りました。ウエハあたりのショート、断線等の欠陥数は、すでに100nm品と同等レベルを達成しております。
- 低抵抗コンタクト技術による微細化対応
100nmプロセスに比べ、平面積が80％となるコンタクトホールには、エルピーダ独自のシリサイド技術を用いて、高速動作の障害となる接触抵抗を低減いたしました。
90nmプロセスのDDR2 SDRAMは、早期の量産立ち上げに対応すべく、プロセス微細化と生産性を両立させる手法で開発いたしました。100nmに準じた製造プロセスを使用し、現時点で量産可能な設備を用いて開発しています。微細化による問題を上記技術で克服することで、チップサイズ縮小によるメリットを最大限に引き出し、今後需要の高まる大容量・高速（512Mビット以上／667Mbps以上）を実現します。また、チップサイズ縮小により100nmプロセス品に比べ、20%以上の生産性向上を見込んでおります。
エルピーダは、今回開発したプロセス技術を512Mビット／1Gビット品に展開し、高性能・高付加価値デバイスの供給をさらに強化してまいります。
以 上
■用語
- *1 リソグラフィ
- 写真のネガに相当する回路パターン（マスク）を光学的に縮小して印画紙に相当するウエハに焼き付ける工程。これにエッチングなどの処理を加えることで、ウエハ上に回路が形成される。
- *2 OPC（Optical Proximity Correction）技術
- 光近接効果補正技術。光リソグラフィを用いて光の波長の半分以下のパターンを形成する場合、実際にウエハに形成されるパターン寸法と設計値からの誤差が顕著になる（光近接効果）。これをコンピュータシミュレーションを用いて予め予測し、マスクパターンを補正して焼き付けることで高精度なパターン形成を可能とする露光技術。
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