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ニュースルーム 2004年

2004年12月20日
製品
Fully Buffered DIMMのサンプル出荷を開始
2004年12月17日
企業情報
高信頼性DRAMの量産性向上に向け、セルトランジスタ内の歪み分布制御技術を開発
データ保持特性の大幅な向上により、高信頼性DRAMの高歩留まり化を実現
2004年12月1日
製品
90nmプロセスのDDR2 SDRAMを開発
DDR2の本格普及に向け、性能・生産性ともに優れた製品
2004年11月26日
IR
第三者割当増資の結果に関するお知らせ
2004年11月25日
企業情報
広島エルピーダメモリ株式会社の社長人事について
企業情報
役員人事について
2004年11月18日
製品
1GビットDDR2 SDRAMの800Mbps動作に成功
世界最高速のDRAMを開発
2004年11月15日
IR
エルピーダメモリ株式会社の上場について
2004年11月4日
IR
公募増資等の価格および国内外の募集株式数決定ならびにオーバーアロットメントによる株式売出しの株式数決定のお知らせ
2004年10月25日
IR
募集新株式の発行価額等およびブックビルディングの仮条件決定のお知らせ
2004年10月12日
IR
新株式発行および株式売出しに関する取締役会決議のお知らせ
2004年9月16日
企業情報
65nm以降のDRAMに向けた新型MIMキャパシタを開発
五酸化タンタルと五酸化ニオブを積層し、低温プロセスと高誘電率化を実現
2004年8月2日
製品
携帯電話・携帯機器用512MビットMobile RAMの量産を開始
×32ビット構成により2倍の転送速度を実現
2004年7月27日
製品
0.10μmプロセス、1Gビット/512MビットDDR2 SDRAMの量産を開始
最先端プロセスでの量産により、さらなる性能向上
2004年7月21日
製品
STB、デジタルTVなどのデジタル放送対応機器に最適な128MビットDDR SDRAMのサンプル出荷を開始
0.11μmプロセスで新開発、デジタル家電機器で要求される長期安定供給をサポート
2004年7月20日
企業情報
IPv6時代のネットワーク・ルータに適した検索機能付きメモリを考案
従来比6倍のIPアドレス登録を可能に
2004年6月28日
企業情報
情報インフラを支える世界最高水準の超高速DRAM技術2件を開発
集積回路に関する国際会議『VLSIシンポジウム』で成果発表
2004年6月16日
企業情報
韓国Hynix社製DRAMに対する補助金相殺関税の賦課申請について
2004年6月10日
企業情報
世界最大級の半導体工場(300mm第二棟)の建設を開始
稼動中の300mm第一棟の生産能力増強も決定
2004年5月19日
製品
デジタル家電向けDRAMのラインナップ拡充
最先端0.11μmプロセス製品、安定供給と幅広いニーズに対応
2004年4月1日
企業情報
広島エルピーダによるNEC広島保有資産の取得について
―エルピーダ事業基盤の確立―
2004年3月4日
企業情報
広島エルピーダメモリ株式会社の社長人事について
2004年2月18日
企業情報
インテルのMIF(Memory Implementers Forum)ラウンドテーブル・イベントで講演
MIFの創設メンバーとして、DDR2およびFBDIMM(Fully-Buffered DIMM)についてのディスカッションに参加
2004年2月16日
製品
DDR2製品ラインアップをいち早く完備
256MビットDDR2 SDRAM、1GB SO-DIMMのサンプル出荷を開始
2004年1月13日
製品
量産仕様のDDR2 2GBレジスタードDIMMの出荷を開始
新開発の積層BGAパッケージにより薄型、高速な積層DIMMが可能に
2004年1月7日
製品
携帯電話向けモバイルRAMのラインアップを拡充
世界市場に向け、64Mビット品をラインアップ

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