- 2004年12月20日
- Fully Buffered DIMMのサンプル出荷を開始
- 2004年12月17日
- 高信頼性DRAMの量産性向上に向け、セルトランジスタ内の歪み分布制御技術を開発
データ保持特性の大幅な向上により、高信頼性DRAMの高歩留まり化を実現 - 2004年12月1日
- 90nmプロセスのDDR2 SDRAMを開発
DDR2の本格普及に向け、性能・生産性ともに優れた製品 - 2004年11月26日
- 第三者割当増資の結果に関するお知らせ
- 2004年11月25日
- 広島エルピーダメモリ株式会社の社長人事について
- 役員人事について
- 2004年11月18日
- 1GビットDDR2 SDRAMの800Mbps動作に成功
世界最高速のDRAMを開発 - 2004年11月15日
- エルピーダメモリ株式会社の上場について
- 2004年11月4日
- 公募増資等の価格および国内外の募集株式数決定ならびにオーバーアロットメントによる株式売出しの株式数決定のお知らせ
- 2004年10月25日
- 募集新株式の発行価額等およびブックビルディングの仮条件決定のお知らせ
- 2004年10月12日
- 新株式発行および株式売出しに関する取締役会決議のお知らせ
- 2004年9月16日
- 65nm以降のDRAMに向けた新型MIMキャパシタを開発
五酸化タンタルと五酸化ニオブを積層し、低温プロセスと高誘電率化を実現 - 2004年8月2日
- 携帯電話・携帯機器用512MビットMobile RAMの量産を開始
×32ビット構成により2倍の転送速度を実現 - 2004年7月27日
- 0.10μmプロセス、1Gビット／512MビットDDR2 SDRAMの量産を開始
最先端プロセスでの量産により、さらなる性能向上 - 2004年7月21日
- STB、デジタルTVなどのデジタル放送対応機器に最適な128MビットDDR SDRAMのサンプル出荷を開始
0.11μmプロセスで新開発、デジタル家電機器で要求される長期安定供給をサポート - 2004年7月20日
- IPv6時代のネットワーク・ルータに適した検索機能付きメモリを考案
従来比6倍のIPアドレス登録を可能に - 2004年6月28日
- 情報インフラを支える世界最高水準の超高速DRAM技術２件を開発
集積回路に関する国際会議『VLSIシンポジウム』で成果発表 - 2004年6月16日
- 韓国Hynix社製DRAMに対する補助金相殺関税の賦課申請について
- 2004年6月10日
- 世界最大級の半導体工場（300mm第二棟）の建設を開始
稼動中の300mm第一棟の生産能力増強も決定 - 2004年5月19日
- デジタル家電向けDRAMのラインナップ拡充
最先端0.11μmプロセス製品、安定供給と幅広いニーズに対応 - 2004年4月1日
- 広島エルピーダによるNEC広島保有資産の取得について
―エルピーダ事業基盤の確立― - 2004年3月4日
- 広島エルピーダメモリ株式会社の社長人事について
- 2004年2月18日
- インテルのMIF（Memory Implementers Forum）ラウンドテーブル・イベントで講演
MIFの創設メンバーとして、DDR2およびFBDIMM（Fully-Buffered DIMM）についてのディスカッションに参加 - 2004年2月16日
- DDR2製品ラインアップをいち早く完備
256MビットDDR2 SDRAM、1GB SO-DIMMのサンプル出荷を開始 - 2004年1月13日
- 量産仕様のDDR2 2GBレジスタードDIMMの出荷を開始
新開発の積層BGAパッケージにより薄型、高速な積層DIMMが可能に - 2004年1月7日
- 携帯電話向けモバイルRAMのラインアップを拡充
世界市場に向け、64Mビット品をラインアップ
