2005年1月13日
エルピーダメモリ株式会社
DRAMの待機電流を1/20に低減する新技術「SSRテクノロジー」を開発
256MビットDDR SDRAMに組み込み製品化、世界最小の待機電流を実現
エルピーダメモリ株式会社（本社：東京都中央区、代表取締役社長 兼CEO：坂本幸雄 以下、エルピーダ）は、このたび、DRAMの待機電流（セルフリフレッシュ電流：IDD6）を1/20に低減する新技術「SSR（Super Self Refresh）テクノロジー」を開発、この技術を256MビットのDDR SDRAMに組み込み「EDD2516KCTA」として製品化いたしました。この製品はDDR SDRAMで世界最小の待機電流を実現しています。
■開発の背景
DRAMのメモリセルは、1個のトランジスタに1個のキャパシタが接続され、キャパシタに電荷を蓄えることでデータを記憶しています。この電荷は時間とともに減少するため、定期的に電荷の再補充（リフレッシュ）をしないと電荷が失われ、データエラーとなります。
システムの待機（スリープ）時など、DRAMに長時間アクセスしない場合には、DRAMが自動的に最適な間隔でリフレッシュを行うセルフリフレッシュが用いられますが、このリフレッシュ間隔を伸ばすことができれば、セルフリフレッシュ時の電流を低減することが可能です。エルピーダは、リフレッシュ間隔延長時のデータエラーは電荷保持特性の悪いごく一部のメモリセルにのみ発生することに着目、DRAM内部にエラー訂正回路を搭載することで、セルフリフレッシュ終了時のデータエラーを修復する技術（SSRテクノロジー）を開発いたしました。
このSSRテクノロジーによりリフレッシュ間隔の大幅な延長に成功、セルフリフレッシュ電流を1/20に低減いたしました。
エルピーダはこのSSRテクノロジーを256MビットのDDR SDRAMに適用、「EDD2516KCTA」として製品化いたしました。また、大容量化のご要求にお応えしてDDP（Double Density Package）による512Mビット品も提供しております。どちらも、高速動作と低待機電流を両立するエルピーダ独自のプレミアDRAMです。
■EDD2516KCTAの特長
- カーナビゲーションシステムやPDA、シリコンディスクなどに最適なJEDEC準拠のDDR SDRAM
- DDR400の高速動作と世界最小のセルフリフレッシュ電流を達成
- 内蔵の温度センサによりリフレッシュ周期を自動調整、さらなる低電力化が可能
DDR with SSR Technology 従来のDDR SDRAM（当社） IDD6 0.04mA＠25℃（従来の1/75）
0.15mA＠70℃（従来の1/20）
0.25mA＠85℃3mA（0〜70℃） - 66ピンTSOP II（鉛フリー）パッケージ
- −40〜＋85℃での動作を保証する動作温度拡張品にも対応
本製品はすでにサンプル出荷を開始しており、2005年3月からの量産を予定しております。
エルピーダは今後も独創的な技術で世界最高水準のDRAM製品を開発してまいります。
新製品の主な仕様は別紙をご覧ください。
以上
プレス用写真：TIF(1394KB)、JPEG(170KB)
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