エルピーダとOvonyx社が相変化メモリに関する技術契約で基本合意

相変化メモリ技術の導入により、次世代超低消費電力メモリ開発を推進

エルピーダメモリ株式会社（代表取締役社長兼CEO：坂本幸雄　以下、エルピーダ）とOvonyx, Inc.（代表取締役社長兼CEO：Tyler Lowrey　以下、Ovonyx）は、次世代の超低消費電力メモリ開発のため、相変化メモリに関する技術契約で基本合意に至りましたので、発表いたします。

Ovonyxのメモリ技術は、CD-RWやDVDディスクで利用されている相変化膜を半導体メモリに用いる技術です。エルピーダはこのメモリ技術を導入し、エルピーダの世界トップレベルのDRAM技術と組み合わせることで、次世代超低消費電力メモリの開発を進めます。

近年、携帯機器の普及などにより低消費電力化の要求は高まる一方であります。エルピーダはこのような市場ニーズにお応えするため、Ovonyx社とも協力し、さらなる技術の高度化を目指してまいります。

以上

Ovonyxについて（www.ovonyx.com）
　Ovonyxは、Energy Conversion Devices, Inc.（www.ovonic.com）のS.R.Ovshinskyが開発した相変化メモリ技術を実用化するために設立されました。Ovonyxの不揮発性メモリ技術は、従来のフラッシュメモリにくらべ、高速な書き込み／消去性能と高耐久性を提供します。また、この技術は、製造が容易であるという利点もあり、いくつかのマスクステップを追加するだけで組み込みチップの設計が可能になります。Ovonyxは共同開発プログラムを通して、このアレイアドレスメモリシステムを、BAE Systems、Intel Corporation、ST Microelectronics、Nanochip、Elpida Memoryなど数社にライセンスしています。

エルピーダについて（www.elpida.com）
　エルピーダメモリ株式会社（本社：東京八重洲）は、日本における唯一のDRAM（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ）メーカです。世界トップレベルの技術開発力により、DRAMのリーディングカンパニーとして開発・設計・製造・販売の事業活動を積極的に展開しています。
　販売・マーケティング拠点は、日本国内に加え、アメリカ、ヨーロッパ、台湾、香港、シンガポールにあります。
　当社は業界最先端プロセスを用い、大容量、高速、小型化などの豊富なラインアップによりあらゆる分野の幅広いニーズにお応えします。

PDF（30KB）

ニュースリリースに掲載されている情報は、発表日現在の情報です。その後予告なしに変更されることがございますので、あらかじめご了承ください。