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エルピーダメモリ株式会社（本社：東京都中央区、代表取締役社長 兼CEO：坂本幸雄 以下、エルピーダ）は、このたび、166MHz（333Mbps）の高速動作が可能な512Mビットおよび256MビットDDR／SDR Mobile RAMのサンプル出荷を開始いたしました。
エルピーダのMobile RAMは携帯電話、PDA、デジタルカメラをはじめとする携帯機器に最適な超低消費電力メモリです。新製品は先端0.10μmプロセス設計により、高速動作と低消費電力を両立いたしました。
またこの512Mビット／256Mビット品を組み合わせることで、768Mビット、1Gビットの大容量品を容易に実現できるようパッドをチップのエッジに配置しています。
データ転送方式は従来型のシングルデータレート（SDR）に加え、より高いデータ転送性能を要求するアプリケーションに対応するため、ダブルデータレート（DDR）も同時に製品化。I/O構成は×32ビットおよび×16ビットをラインアップし、お客様の幅広いご要求にお応えいたします。
また、最高速製品である166MHz（333Mbps）動作の×32ビットDDR Mobile RAM採用により、1秒当たり1.3Gバイトの大容量高速データ転送が実現できます。このため高精細、高品質なグラフィックス表示、また高バンド幅を要求するビデオ再生なども可能となり、省スペース・省電力といったMobile RAMの特長はそのままに卓越したシステム性能を実現できます。
512M／256MビットMobile RAMはMCP／SIP搭載に向けたベアチップ供給に加え、お客さまのご要求に応じて複数のMobile RAMベアチップを積層した大容量パッケージ品の製品化も予定しております。また、お客様での基板設計がしやすいよう、パッドをチップの片側エッジに並べた片エッジパッド品、両方のエッジに配置した両エッジパッド品の2種類を用意しています。
現在の第3世代携帯電話を中心に採用されている512MビットMobile RAMは1パッケージに256MビットMobile RAMを2個搭載しておりますが、このたび開発した512MビットMobile RAMと置き換えることで、より省スペース、低消費電力、高信頼のシステムに貢献できるものと考えております。
新製品の主な特長は以下のとおりです。
- 32ビット構成のダブルデータレート（DDR）では、クロック周波数166MHz（333Mbps）で1.3GB/sec.の高速データ転送が可能。
- 他のデバイスとのMCP／SIP化を考慮し、スタックしやすいようデバイス周辺にパッドを配置。さらに基板配線設計をしやすいよう、片エッジパッド品と両エッジパッド品の２種類を用意。
- 低電圧1.8Vで、業界トップレベルのテクノロジを駆使した低消費電流化回路により、同容量、同プロセスのDDR SDRAMに比べ1／10以下の低消費電力を実現。
- 当社従来品に比べ、20％高速化、動作電流は20％低減。モバイル機器の低消費電力化が可能。
- PASR（パーシャルアレイセルフリフレッシュ）、DPD（ディープパワーダウン）、TCSR（温度補償セルフリフレッシュ）等のMobile RAM特有のローパワー機能を搭載。
TCSRは、256Mビットの従来品で実現したAuto TCSR（デバイス内部に温度センサーを持ち、自動的にリフレッシュ周期を変える）をさらに発展させたAdvanced TCSR（すべての温度範囲で、温度によってダイナミックにリフレッシュ周期が変化する）に進化。これにより、さらなる低消費電力化を実現。
なお、256M／512MビットMobile RAMの量産出荷は本年第二四半期を予定しています。
エルピーダはモバイル機器分野でのトップシェアを目指し、今後も高性能・低消費電力製品の開発をすすめてまいります。
新製品の主な仕様は別紙をご覧下さい。
以 上
 プレス用写真：TIF(2862KB)、JPEG(255KB)
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Mobile RAMはエルピーダメモリ株式会社の商標です。
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