Elpida Memory, Inc.
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<別紙>

256MビットDDR2 SDRAMの主な仕様

製品名

EDE2508ABSE-GE-E
EDE2516ABSE-GE-E

製造プロセス 0.10μm CMOS
構成 8Mワード×8ビット×4バンク
4Mワード×16ビット×4バンク
電源電圧(VDD) 1.85V±0.1V
クロック周波数 400MHz
動作温度範囲 Tc = 0〜85℃
パッケージ 60ボールFBGA(EDE2508ABSE)
84ボールFBGA(EDE2516ABSE)

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