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＜別紙＞

256MビットDDR2 SDRAMの主な仕様

製品名	EDE2508ABSE-GE-E EDE2516ABSE-GE-E
製造プロセス	0.10μm CMOS
構成	8Mワード×8ビット×4バンク 4Mワード×16ビット×4バンク
電源電圧(VDD)	1.85V±0.1V
クロック周波数	400MHz
動作温度範囲	Tc = 0～85℃
パッケージ	60ボールFBGA（EDE2508ABSE) 84ボールFBGA（EDE2516ABSE）

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