2005年3月30日
エルピーダメモリ株式会社
超高速DRAM、XDR™ DRAMのサンプル出荷を開始
3.2GHzの超高速データ転送動作と16ビットI/O構成により、DRAM単体で6.4GB／秒のデータ転送速度を実現
エルピーダメモリ株式会社（本社：東京都中央区、代表取締役社長 兼CEO：坂本幸雄 以下、エルピーダ）は、このたび、米国ラムバス社の超高速データ転送技術を採用した512MビットXDR DRAM「EDX5116ABSE」を開発し、本日よりサンプル出荷を開始いたしました。
HDTVなど高精細な画像を取り扱うデジタル家電の発展は、その膨大なデータを処理するために、システムとして大きなバンド幅が必要となっております。また、これらをリアルタイムに加工するグラフィックス処理装置、高精細画像を大量に取り扱うホームサーバなど、大量のデータを瞬時に取り扱いができるメモリへの需要が高まって来ております。
エルピーダのXDR DRAMは3.2GHzの超高速データ転送動作と16ビットI/O構成により、DRAM単体で6.4GB／秒のデータ転送が可能です。これは、現在PCで主流になりつつあるDDR2 SDRAMの4倍以上のデータ転送能力です。このためXDR DRAMは高性能なグラフィックス処理装置、高画質なHDTV対応のホームサーバなど超高速のデータ処理が必要な分野での応用に最適です。
「エルピーダはXDR DRAMのキーサプライヤとして、この最新テクノロジーを市場に投入する上でたいへん重要な役割を果たしています。」と、ラムバス社のマーケティングディレクターであるRich Warmke氏は述べています。
「今日のコモディティDRAMの性能では、増大する一方のDRAMのバンド幅向上に対する要求に応えることができません。XDR DRAMは超高速メモリソリューションの選択肢として、たいへん良いポジションを確立しています。」
新製品の主な特長は以下のとおりです。
- コントローラからの1クロックに対して8個のデータを入出力するOctal Data Rate （ODR）
- 512Mビット：4M×16ビット×8バンク構成
- データ転送速度：2.4、3.2、4.0GHzをサポート
- 電源電圧：1.8V
- オンチップ終端（On -Chip Termination）
本製品の量産出荷は、2005年9月を予定しております。
エルピーダはデジタル家電市場でのNo.1メモリベンダを目指して今後も積極的に新製品を開発してまいります。
新製品の主な仕様は別紙をご覧ください。
以上
プレス用写真：TIF(1958KB)、JPEG(226KB)
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