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消費電力50％低減、1.8V動作256MビットDRAMサンプル出荷開始
| 製品名 |
EDS2532JExx（電源電圧VDD=2.5V±0.2V）
EDS2532EExx（電源電圧VDD=1.8V±0.1V） |
| 製造プロセス |
100nm CMOSプロセス |
| 構成 |
2Mワード×32ビット×4バンク |
| クロック周波数 |
166MHz(max.)（EDS2532JE、CL=3）
133MHz(max.)（EDS2532EE、CL=3） |
| 動作温度範囲 |
0〜＋70℃ |
| 動作電流（IDD1） |
90mA（EDS2532JE：166MHz）
80mA（EDS2532EE：133MHz） |
| 外形 |
90ボールFBGA (Fine-pitch Ball Grid Array)
13.0mm×8.0mm×1.1mm |
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