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エルピーダメモリ株式会社（本社：東京都中央区、代表取締役社長 兼CEO：坂本幸雄 以下、エルピーダ）は、このたび、世界最先端80nmプロセスの量産に向けた開発を完了するとともに、その80nmプロセスを用いた世界最大容量2GビットDDR2 SDRAM製品の一次評価を完了、その開発に成功したことを発表いたします。
エルピーダでは、このたび開発を完了した80nmプロセスよりArFスキャナーを採用いたしました。このことは、さらにプロセスの微細化を進める上での重要なマイルストーンともなります。
この2GビットDDR2 SDRAMは、プロセスと回路／レイアウト設計の最適化により、
- 高速動作DDR2-800（800Mbps動作）品の安定供給。
− 現在量産している中で最高速であるDDR2-667（667Mbps動作）品に比べ、高速性能を20％向上。
- システム上の低消費電力化や熱特性改善に貢献する動作電流の低減。
− 現在量産中の100nmプロセス1Gビット品とほぼ同等の電流特性を確認。
- 標準メモリモジュール（DIMM）に搭載可能なチップサイズの実現。
− 高さ30.00mmのレジスタードDIMMや、高さ30.35mmのFB-DIMMへ搭載可能なチップサイズを実現。
などをターゲットとして開発したもので、このたびの一次評価により、以上のターゲットをクリアしていることを確認しております。
エルピーダがいちはやく達成したこの成果は、サーバなどをはじめとする大容量かつ高品質のDRAMを搭載するシステムの高機能／高性能化に、大きく貢献するものと確信しております。
エルピーダでは、今回開発を完了した80nmプロセスおよび2GビットDDR2 SDRAMについて、本格量産に向けての評価／改良を進め、年度内量産開始を目指して積極的に準備を進めてまいります。
以 上
製品データシート: EDE2104AASE, EDE2108AASE (PDF:57KB)
 プレス用写真：TIF(668KB)、JPEG(82KB)
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