＜別紙＞ |
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512MビットMobile RAMの主な仕様
| 製品名 |
ECK5432CBシリーズ（DDR、2KBページ、×32ビット構成）
ECK5132CBシリーズ（DDR、1KBページ、×32ビット構成）
ECK5416CBシリーズ（DDR、2KBページ、×16ビット構成）
ECL5432CBシリーズ（SDR、2KBページ、×32ビット構成）
ECL5416CBシリーズ（SDR、2KBページ、×16ビット構成） |
| 製造プロセス |
90nm CMOS |
| 電源電圧(VDD) |
1.8±0.1V |
| クロック周波数 |
166MHz、133MHz |
| 動作温度範囲 |
−25℃〜＋85℃ |
| ローパワー機能 |
PASR（パーシャルアレイセルフリフレッシュ）
DPD（ディープパワーダウン）
Advanced TCSR（温度補償セルフリフレッシュ） |
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