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エルピーダメモリ株式会社（本社：東京都中央区、代表取締役社長 兼CEO：坂本幸雄 以下、エルピーダ）は、このたび、次世代の高速DRAM、512MビットDDR3 SDRAMの開発を完了いたしました。
今回開発を完了した512MビットDDR3 SDRAMは、1.5Vという低電圧で、DDR2の2倍である1333Mbpsの高速動作を実現しており、また、JEDECほか業界で標準化検討中の各種最新仕様を取り込んだ製品となっています。
本製品では、現在、当社においてすでに安定した生産を行っている90nmプロセスをベースに、DRAM量産品としてはじめてデュアルゲート構造トランジスタを導入しています。これにより、低電圧1.5Vながら高速な動作を実現する製品の安定供給を可能にしました。
この512MビットDDR3 SDRAMの特長を以下に記します。
- 高速データ転送速度：1067Mbps／1333Mbps
− 現在量産中の512MビットDDR2の533Mbps／667Mbpsの2倍の速度。
- 動作電圧： 1.5V動作
− DDR2の1.8Vから低減。この低電圧で2倍の速度を実現。
- 消費電流：DDR2製品と同等
− 2倍の高速性能ながら同等の電流値を達成。
エルピーダが達成したこの成果は、サーバ、ハイエンドPCなどをはじめとするコンピュータシステムの高機能／高性能化に、さらに、大きく貢献するものと確信しております。
エルピーダでは、今回開発を完了した512MビットDDR3 SDRAMについて、本格量産に向けての評価／改良を進め、今年度内サンプル出荷を、さらに市場の立ち上がりにあわせた量産開始を目指してまいります。
加えて1Gビット品、2Gビット品といったさらに大容量の製品展開についても、今回の成果により加速して開発を進めてまいります。
＜デュアルゲート＞
低電圧で高速に動作する回路を、低リーク電流で実現することを可能にするトランジスタ構造。
エルピーダでは、さまざまな問題からDRAM製品への導入は困難と言われたこの技術を、プロセスやレイアウトの改善／工夫によって量産用に確立した。
以 上
製品データシート: EDJ5304AASE, EDJ5308AASE, EDJ5316AASE (PDF:38KB)
 プレス用写真：TIF(4144KB)、JPEG(357KB)
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