2005

2005年12月19日

• 80nmプロセス　2GビットDDR2 SDRAMサンプル出荷開始
  80nmプロセスによる量産開始の目途立つ
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2005年12月08日

• 約20年にわたり原因が不明であったDRAMセルの記憶保持時間の変動要因を解明
  次世代低電力DRAMの開発に道
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2005年12月05日

• JEDEC Technical Recognition Award受賞のお知らせ
  モジュール標準化における長年の業績によりJEDECの最高技術賞を受賞
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2005年12月01日

• 広島エルピーダ300mm増設ライン竣工式開催
  E300ファブ月産54,000枚化に向けて能力増強進行中
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2005年11月25日

• 無担保社債の発行に関するお知らせ
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2005年11月14日

• 512MビットDDR3 SDRAMサンプル出荷開始
  インテルへDDR3 SDRAM搭載 ギガヘルツ級高速DIMMサンプルを出荷
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2005年10月25日

• 2006年3月期 中間期の業績を発表
• 業績予想の修正に関するお知らせ
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2005年10月19日

• 大株主の状況と株主構成に関するお知らせ
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2005年10月3日

• 役員人事について
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2005年9月30日

• 執行役員のWalton取締役就任について
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2005年9月13日

• 「その他関係会社」の異動に関するお知らせ
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2005年9月1日

• 90nmプロセス採用512MビットDDR SDRAM出荷開始
  ハイエンドデジタルコンシューマ機器における需要拡大に貢献
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2005年8月31日

• 主要株主の異動に関するお知らせ
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• 筆頭株主、「その他関係会社」及び主要株主の異動に関するお知らせ
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2005年8月30日

• 主要株主の持株比率変更に関するお知らせ
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2005年8月25日

• ストックオプション（新株予約権）の発行内容に関するお知らせ
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2005年8月24日

• ストックオプション（新株予約権）の発行条件等に関するお知らせ
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2005年8月23日

• 512MビットDDR3 SDRAM開発完了
  DRAM製品で初めて、デュアルゲート構造トランジスタを採用
  DDR2の2倍の高速性能を実現する、次世代SDRAMを開発
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2005年8月2日

• 4GバイトFully Buffered DIMMのサンプル出荷を開始
  次世代高性能サーバ向け、業界最大容量を実現
  エルピーダ独自のsFBGAパッケージ技術を適用した薄型6.7mm厚
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2005年7月26日

• ウェハテスティングに関する新会社の設立で合意
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2005年7月21日

• 2006年3月期 第1四半期の業績を発表

2005年7月13日

• MCP/SiP対応を強化、90nmプロセス採用Mobile RAM^TM 出荷開始
  512MビットDDR2に加え90nmプロセスへの移行を促進
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2005年6月28日

• 役員の異動に関するお知らせ
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2005年6月23日

• 80nmプロセス、2GビットDDR2 SDRAM開発完了
  業界最先端プロセスにより、大容量2GビットDDR2製品を開発
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• 執行役員のPTI取締役就任について
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2005年6月15日

• 次世代モバイル情報機器の低電力メモリに向けた0.4V動作のDRAM回路方式を提案
  低い動作電圧で情報保持時間の向上と高速書込み/読み出しを実現
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2005年6月3日

• 短期社債（電子CP）発行枠の設定について
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2005年5月31日

• 消費電力50％低減、1.8V動作256MビットDRAMサンプル出荷開始
  ポータブルデジタルコンシューマ機器向け×32構成256M SDRAM製品ラインアップを拡充
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2005年5月27日

• ストックオプション（新株予約権）に関するお知らせ
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• 役員の異動に関するお知らせ
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2005年5月24日

• 低消費電力のDDR2 SO-DIMM サンプル出荷を開始
  100nmプロセス 512MビットDDR2搭載により消費電力30%低減を実現
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2005年5月17日

• 512MビットXDR^TM DRAMを本格量産段階へ
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2005年4月26日

• 4GB DDR2レジスタードDIMM「EBE41RE4AAHA」のサンプル出荷を開始
  sFBGA（積層FBGA）パッケージ技術により、大容量薄型モジュールを実現
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2005年4月25日

• 2005年3月期の業績を発表

2005年4月20日

• 世界最小チップ512MビットDDR2 SDRAMの生産開始
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2005年4月13日

• PSCへの社外取締役派遣について
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2005年4月8日

• 業績予想の修正に関するお知らせ
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2005年4月4日

• 役員人事について
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2005年3月30日

• 超高速DRAM、XDR^TM DRAMのサンプル出荷を開始
  3.2GHzの超高速データ転送動作と16ビットI/O構成により、DRAM単体で6.4GB／秒のデータ転送速度を実現
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2005年3月28日

• 500億円のシンジケートローン契約の締結について
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2005年3月22日

• 最高速800Mbps動作の256MビットDDR2 SDRAMを製品化
  6.4GB／秒のPC向けハイエンドDDR2モジュールを実現する最先端DRAM製品
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2005年3月9日

• 広島エルピーダの新工場（300mm第2棟）の設備投資について
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2005年3月8日

• 第1回及び第2回無担保社債の発行条件に関するお知らせ
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2005年3月2日

• 世界最高速の512M／256MビットMobile RAM^TMのサンプル出荷を開始
  166MHz（333Mbps）動作のDDR／SDR Mobile RAM
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2005年2月16日

• ギガビット級のDRAMに向けた新概念の回路設計技術を考案
  素子特性のばらつきを統計処理することによってチップ設計の良否を定量評価
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2005年2月15日

• 0.11μmプロセスの16MビットSDRAMを製品化
  デジタル家電分野の需要に応え、長期サポートを計画
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2005年2月10日

• エルピーダメモリ株式会社 第1回及び第2回無担保社債（社債間限定同順位特約付）の発行に関するお知らせ
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2005年2月3日

• エルピーダとOvonyx社が相変化メモリに関する技術契約で基本合意
  相変化メモリ技術の導入により、次世代超低消費電力メモリ開発を推進
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2005年1月24日

• 2005年3月期 第3四半期の業績を発表
• 業績予想の修正に関するお知らせ
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2005年1月13日

• DRAMの待機電流を1/20に低減する新技術「SSRテクノロジー」を開発
  256MビットDDR SDRAMに組み込み製品化、世界最小の待機電流を実現
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