＜別紙＞ |
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512MビットXDR DRAMの主な仕様
| 製品名 |
EDX5116ACSEシリーズ |
| 製造プロセス |
90nm CMOS |
| 構成 |
4Mワード×16ビット×8バンク |
| データ幅 |
×4／×8／×16ビット プログラマブル |
| ピンあたりデータ転送レート |
4C：4.0GHz
3A/3B/3C：3.2GHz |
| インターフェース |
DRSL（DQピン）、RSL（RQピン） |
| XDRテクノロジ |
Octal Data Rate、DRSL、Flex Phase |
| 電源電圧（VDD） |
1.8V±0.09V |
| 動作温度範囲（Tj） |
0〜100℃（Tj：ジャンクション温度） |
| パッケージ |
104ボールFBGA |
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