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ニュースルーム 2006年

2006年12月25日
製品
世界初、70nmプロセス・DRAM量産開始
1G/512MビットDDR2品からスタート、積極的に多品種へ展開
PDF:66KB
企業情報
役員人事に関するお知らせ
PDF:37KB
企業情報
子会社、広島エルピーダメモリ(株)の社長人事に関するお知らせ
PDF:30KB
2006年12月7日
企業情報
エルピーダ・PSC 台湾におけるDRAM生産合弁会社設立に基本合意
PDF:94KB
2006年10月24日
IR
2007年3月期 中間期の業績を発表
2006年10月2日
企業情報
上海セールスオフィスの開設について
PDF:44KB
企業情報
東北デザインセンター(設計拠点)を開設
PDF:51KB
2006年9月27日
IR
ストックオプション(新株予約権)の発行内容確定に関するお知らせ
PDF:44KB
2006年9月13日
企業情報
文科省「先端融合領域イノベーション創出拠点の形成」
広島大学とエルピーダの共同研究が採択される

PDF:51KB
IR
(訂正)「ストックオプション(新株予約権)の発行条件等に関するお知らせ」の一部訂正について
PDF:32KB
2006年8月31日
企業情報
役員人事について
PDF:41KB
IR
ストックオプション(新株予約権)の発行条件等に関するお知らせ
PDF:44KB
2006年8月8日
IR
第三者割当増資における発行株式数の確定に関するお知らせ
PDF:19KB
2006年8月2日
企業情報
後工程を担う新会社、秋田エルピーダメモリ(株)の設立およびアキタ電子、アキタセミコンダクタからの事業譲り受けについて
PDF:73KB
企業情報
日本経済新聞による新工場への投資に関する報道について
PDF:27KB
2006年7月31日
IR
2007年3月期 第1四半期の業績を発表
2006年7月20日
企業情報
新工場の立地先に関する報道について
PDF:34KB
2006年7月19日
企業情報
主要株主の異動に関するお知らせ
PDF:50KB
2006年7月10日
IR
発行価格及び売出価格等の決定に関するお知らせ
PDF:62KB
2006年6月27日
企業情報
役員の異動に関するお知らせ
PDF:43KB
企業情報
広島エルピーダにおける設備投資方針決定について
PDF:132KB
IR
新株式発行並びに株式売出しに関するお知らせ
PDF:216KB
2006年6月20日
企業情報
顧客対応力強化に向けた販売体制の変更について
PDF:46KB
2006年6月19日
企業情報
SMICの300mmラインでエルピーダメモリ90nm DDR2 SDRAM製品の信頼性評価完了
PDF:74KB
2006年6月12日
企業情報
地震による広島エルピーダの被害状況について
PDF:42KB
2006年5月25日
企業情報
取締役候補者決定に関するお知らせ
〜決算発表資料の追加(役員の異動)〜
PDF:45KB
IR
平成18年3月期決算発表資料の追加(注記事項)
PDF:60KB
2006年5月23日
製品
エルピーダのFB-DIMMがインテル®の新デュアルコアXeon®プラットフォームをサポート
サーバ用途に最高のパフォーマンスを提供する512MB/1GB/2GB FB-DIMMがインテルでの動作確認を完了
PDF:57KB
2006年5月19日
企業情報
(訂正)平成18年3月期決算短信(連結)の一部修正について
PDF:92KB
IR
(訂正)「ストックオプション(新株予約権)に関するお知らせ」の一部訂正について
PDF:30KB
企業情報
定款の一部変更に関するお知らせ
PDF:205KB
2006年4月25日
IR
2006年3月期の業績を発表
IR
ストックオプション(新株予約権)に関するお知らせ
PDF:33KB
2006年4月19日
企業情報
「連結業績予想修正に関するお知らせ」の訂正について
PDF:22KB
2006年4月18日
企業情報
連結業績予想修正に関するお知らせ
PDF:22KB
企業情報
大株主の状況と株主構成に関するお知らせ
PDF:20KB
2006年3月31日
企業情報
総額1,000億円のコミットメント枠設定および設備投資資金500億円の借入について
PDF:88KB
2006年3月30日
製品
欠陥を修復できる技術を物理現象レベルで検証することに成功
飛躍的なデータ保持特性向上により高速DRAMの高歩留まり化を実現
PDF:53KB
2006年3月28日
企業情報
役員人事について
PDF:23KB
2006年3月22日
製品
XDR™ DRAM、最先端90nmプロセスでの量産準備完了
マーケットの広がりに応える生産性と高速性能を達成
PDF:86KB
2006年3月7日
製品
90nmプロセス1Gビット DDR2 SDRAMのサンプル出荷を開始
最先端プロセス採用により800Mbpsの高速データ転送を実現
PDF:89KB
2006年2月8日
製品
世界最速の動作速度を実現する512MビットDDR3 SDRAMの回路技術
次世代DRAM仕様の1.5V低電圧で高速低電力動作を実現
PDF:86KB
2006年2月6日
企業情報
デザインセンター(設計拠点)のグローバル展開について
PDF:52KB
2006年1月31日
企業情報
和解による争訟の解決のお知らせ
PDF:18KB
2006年1月24日
IR
2006年3月期 第3四半期の業績を発表
IR
2006年3月期 連結業績予想修正に関するお知らせ
PDF:20KB
2006年1月13日
企業情報
第3四半期・業績予想修正に関するお知らせ
PDF:19KB

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