- 2006年12月25日
- 世界初、70nmプロセス・DRAM量産開始
1G／512MビットDDR2品からスタート、積極的に多品種へ展開
（PDF：66KB） 
- 役員人事に関するお知らせ
（PDF：37KB） - 子会社、広島エルピーダメモリ（株）の社長人事に関するお知らせ
（PDF：30KB） - 2006年12月7日
- エルピーダ・PSC 台湾におけるDRAM生産合弁会社設立に基本合意
（PDF：94KB） - 2006年10月24日
- 2007年3月期 中間期の業績を発表
- 2006年10月2日
- 上海セールスオフィスの開設について
（PDF：44KB） - 東北デザインセンター（設計拠点）を開設
（PDF：51KB） - 2006年9月27日
- ストックオプション（新株予約権）の発行内容確定に関するお知らせ
（PDF：44KB） - 2006年9月13日
- 文科省「先端融合領域イノベーション創出拠点の形成」
広島大学とエルピーダの共同研究が採択される
（PDF：51KB） - （訂正）「ストックオプション（新株予約権）の発行条件等に関するお知らせ」の一部訂正について
（PDF：32KB） - 2006年8月31日
- 役員人事について
（PDF：41KB） - ストックオプション（新株予約権）の発行条件等に関するお知らせ
（PDF：44KB） - 2006年8月8日
- 第三者割当増資における発行株式数の確定に関するお知らせ
（PDF：19KB） - 2006年8月2日
- 後工程を担う新会社、秋田エルピーダメモリ（株）の設立およびアキタ電子、アキタセミコンダクタからの事業譲り受けについて
（PDF：73KB） - 日本経済新聞による新工場への投資に関する報道について
（PDF：27KB） - 2006年7月31日
- 2007年3月期 第1四半期の業績を発表
- 2006年7月20日
- 新工場の立地先に関する報道について
（PDF：34KB） - 2006年7月19日
- 主要株主の異動に関するお知らせ
（PDF：50KB） - 2006年7月10日
- 発行価格及び売出価格等の決定に関するお知らせ
（PDF：62KB） - 2006年6月27日
- 役員の異動に関するお知らせ
（PDF：43KB） - 広島エルピーダにおける設備投資方針決定について
（PDF：132KB） - 新株式発行並びに株式売出しに関するお知らせ
（PDF：216KB） - 2006年6月20日
- 顧客対応力強化に向けた販売体制の変更について
（PDF：46KB） - 2006年6月19日
- SMICの300mmラインでエルピーダメモリ90nm DDR2 SDRAM製品の信頼性評価完了
（PDF：74KB） - 2006年6月12日
- 地震による広島エルピーダの被害状況について
（PDF：42KB） - 2006年5月25日
- 取締役候補者決定に関するお知らせ
〜決算発表資料の追加（役員の異動）〜
（PDF：45KB） - 平成18年3月期決算発表資料の追加（注記事項）
（PDF：60KB） - 2006年5月23日
- エルピーダのFB-DIMMがインテル®の新デュアルコアXeon®プラットフォームをサポート
サーバ用途に最高のパフォーマンスを提供する512MB／1GB／2GB FB-DIMMがインテルでの動作確認を完了
（PDF：57KB） - 2006年5月19日
- （訂正）平成18年3月期決算短信（連結）の一部修正について
（PDF：92KB） - （訂正）「ストックオプション（新株予約権）に関するお知らせ」の一部訂正について
（PDF：30KB） - 定款の一部変更に関するお知らせ
（PDF：205KB） - 2006年4月25日
- 2006年3月期の業績を発表
- ストックオプション（新株予約権）に関するお知らせ
（PDF：33KB） - 2006年4月19日
- 「連結業績予想修正に関するお知らせ」の訂正について
（PDF：22KB） - 2006年4月18日
- 連結業績予想修正に関するお知らせ
（PDF：22KB） - 大株主の状況と株主構成に関するお知らせ
（PDF：20KB） - 2006年3月31日
- 総額1,000億円のコミットメント枠設定および設備投資資金500億円の借入について
（PDF：88KB） - 2006年3月30日
- 欠陥を修復できる技術を物理現象レベルで検証することに成功
飛躍的なデータ保持特性向上により高速DRAMの高歩留まり化を実現
（PDF：53KB） - 2006年3月28日
- 役員人事について
（PDF：23KB） - 2006年3月22日
- XDR™ DRAM、最先端90nmプロセスでの量産準備完了
マーケットの広がりに応える生産性と高速性能を達成
（PDF：86KB） - 2006年3月7日
- 90nmプロセス1Gビット DDR2 SDRAMのサンプル出荷を開始
最先端プロセス採用により800Mbpsの高速データ転送を実現
（PDF：89KB） - 2006年2月8日
- 世界最速の動作速度を実現する512MビットDDR3 SDRAMの回路技術
次世代DRAM仕様の1.5V低電圧で高速低電力動作を実現
（PDF：86KB） - 2006年2月6日
- デザインセンター（設計拠点）のグローバル展開について
（PDF：52KB） - 2006年1月31日
- 和解による争訟の解決のお知らせ
（PDF：18KB） - 2006年1月24日
- 2006年3月期 第3四半期の業績を発表
- 2006年3月期 連結業績予想修正に関するお知らせ
（PDF：20KB） - 2006年1月13日
- 第3四半期・業績予想修正に関するお知らせ
（PDF：19KB）
