|
ユナイテッド・マイクロエレクトロニクス・コーポレーション（以下、UMC）とエルピーダメモリ株式会社（以下、エルピーダ）は、本日、銅配線（Cu）/低誘電率膜（Low-k）技術を使ったDRAM及び相変化メモリ（PRAM）の共同開発プログラムについて、基本合意いたしました。
この提携は、エルピーダの高いDRAM技術とUMCの高度なCu/Low-kプロセスの融合による先端 DRAM の開発を一つの目的としています。UMCはエルピーダへ先端DRAMの生産に必要なCu/Low-k技術のライセンスを供与し、エルピーダはUMCのDRAM混載 システム・オン・チップ（SoC）に必要なDRAMのライセンスをいたします。また、PRAMについては、エルピーダのGST膜に関するこれまでの成果と、UMCの高性能CMOSロジック技術を合わせた共同開発を行います。
エルピーダのCTO（最高技術責任者）である安達隆郎は、次のようにコメントしています。「この度、UMCと共同開発の基本合意に至ったことは、今後のメモリ開発において、大変意義深いことだと考えています。配線工程にCu/Low-kプロセスを用いることは、当社が開発を進める先端DRAMの高性能化（高速化、低消費電力、大容量化）、微細化にとって非常に重要な意味を持ちます。また、PRAMにおいては当社の持つ相変化材料技術とUMCの高性能CMOS技術の融合により、PRAMの実用化・製品化の促進が期待され、幅広いメモリ・ソリューションをお客さまへ提供することが可能となることを、大変嬉しく思います。」
UMCのCOO（最高執行責任者）である孫世偉（Shih Wei Sun） は、次のようにコメントしています。「DRAMテクノロジーにおけるリーダーであるエルピーダメモリが、共同開発のパートナーとしてUMCを選択したことを大変光栄に思います。これは、UMCのCMOSロジック全般におけるリーダーシップ、特にCu/Low-k における高い技術力が評価された結果であり、大変嬉しく思います。当社は、この共同開発の成果が、より進歩したエンベデッド・メモリSoCソリューションの市場への提供を可能とし、顧客サポートの向上につながることを期待しています。」
エルピーダメモリ株式会社について
エルピーダメモリ株式会社（TSE：6665）は、DRAM（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ）のリーディングカンパニーです。世界トップレベルの技術力により、開発・設計・製造・販売活動を積極的に展開しています。最先端の製造技術を誇る生産拠点、広島エルピーダメモリ株式会社（前工程）と秋田エルピーダメモリ株式会社（後工程）を有し、また、世界のお客さまをサポートする販売・マーケティング拠点は、日本国内に加え、北米、ヨーロッパ、台湾、中国、シンガポールにあります。エルピーダは、大容量、高速、低消費電力、小型パッケージなどの先端製品ラインナップにより、ハイエンドサーバ、携帯電話、デジタル家電など幅広い応用分野にお応えします。エルピーダメモリに関するさらに詳細な情報は、http://www.elpida.com でご覧いただけます。
ユナイテッド・マイクロエレクトロニクス・コーポレーションについて
UMCは、半導体産業の主要分野を網羅するあらゆるアプリケーション向けに最先端プロセスICを製造する、世界的なリーディング半導体ファウンドリーです。UMCは90 nm銅配線、0.13 μm銅配線、ミックスドシグナル／RFCMOSなど、高性能システム・オン・チップ（SoC）設計を可能にする先進的なファウンドリー技術を提供します。また、300 mmウエハ製造技術のリーダーでもあり、台湾のFab 12AとシンガポールにあるFab 12iでは、多様なカスタマー製品を量産しています。世界中で約12,000名の従業員を有し、台湾、日本、シンガポール、ヨーロッパ、米国にオフィスを構えています。UMCの詳細情報については、Webサイトをご覧ください。（http://www.umc.com）
 印刷用のPDFはこちら
ニュースリリースに掲載されている情報は、発表日現在の情報です。その後予告なしに変更されることがございますので、あらかじめご了承ください。 |
