Elpida Memory, Inc.
HOME > ニュースルーム > 2007 > ニュースリリース
2007年10月30日
エルピーダメモリ株式会社

世界初、超低電圧1.2Vで533Mbpsを達成

JEDEC LPDDR2仕様に準拠した512MビットDDR2 Mobile RAMを開発

512M DDR2 Mobile RAM

 エルピーダメモリ株式会社(本社:東京都中央区、代表取締役社長兼CEO:坂本幸雄 以下、エルピーダ)は、世界に先駆け、超低電圧1.2V駆動の512MビットDDR2 Mobile RAM™を開発いたしました。従来のDDR Mobile RAMと同等の消費電力で533Mbpsの高速動作を実現しております。
 DDR2 Mobile RAMはJEDEC LPDDR2仕様に準拠した、携帯電話やモバイル機器に最適な高性能、低消費電力を両立するエルピーダの最先端Mobile RAM製品です。

 エルピーダでは、当初よりモバイル機器・デジタル家電向けの製品に注力し、他社に先駆けた製品企画・開発を手がけてまいりました。その結果、日本市場はもとより、欧米、アジアを含めた世界の主要メーカーでエルピーダのMobile RAMが採用され、世界No.1のシェアを持っています。
 エルピーダのMobile RAMは高機能な2.5G、3G携帯に多く採用されておりますが、近年の携帯電話は音楽やネット接続のみならず、ストリーミングによる動画配信や動画撮影、ビデオ出力対応など、ますます高性能、多機能化が進んでおります。今後はビデオ機能のハイビジョン(HD)化も見込まれ、高精細グラフィクスなど大容量データを高速に処理することが必要になってきております。

 このような背景のもと、高性能、低消費電力を実現したメモリのニーズが高まっており、このたび、DDR2 Mobile RAMを開発いたしました。

 DDR2 Mobile RAMの主な特長は以下のとおりです。

  • JEDECで最終標準化作業中のLPDDR2仕様に準拠したDDR2 Mobile RAMを先行開発
  • DDR型の1.8Vに対し、DRAMコアも含めた完全1.2V駆動
    −量産中の70nmプロセスと新規周辺回路技術により1.2Vでの高速動作を達成
    −業界トップレベルのテクノロジを駆使した超低電圧アレイ回路、ECC回路を搭載し、外部1.2Vで安定動作かつ低待機電流を実現
  • DDR2インタフェースにより533Mbpsの高速動作
  • PASR(パーシャルアレイセルフリフレッシュ)、ATCSR(自動温度補償セルフリフレッシュ)、DPD(ディープパワーダウン)等標準化されているMobile RAM特有のローパワー機能を搭載し、バッテリ駆動時間の延長に貢献

 このたび開発したDDR2 Mobile RAMは本年11月中にサンプル出荷を開始いたします。
 エルピーダはMobile RAMのトップメーカーとして、今後も高性能・低消費電力製品の開発をすすめてまいります。

以上

Press Photo プレス用写真:TIF(1247KB)JPEG(126KB)

PDF 印刷用のPDFはこちら

Mobile RAMはエルピーダメモリ株式会社の商標です。

ニュースリリースに掲載されている情報は、発表日現在の情報です。その後予告なしに変更されることがございますので、あらかじめご了承ください。

Page Top

検索

ニュースリリース

過去のニュースリリース

2007

2006

2005

2004

2003

2002

2001

2000

1999

イベント

Ad Gallery