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エルピーダメモリ株式会社（本社：東京都中央区、代表取締役社長兼CEO：坂本幸雄 以下、エルピーダ）は、次世代メインメモリであるDDR3 SO-DIMMのIntel Corporation（以下、インテル）バリデーションを取得いたしました。
エルピーダはこのDDR3 SO-DIMMの量産体制をすでに確立しており、今後のIntel® Centrino® 2プロセッサテクノロジ モバイルプラットフォームをサポートいたします。
エルピーダは、2005年8月にDDR3 SDRAMの開発を完了、同年末にはDIMMのサンプル出荷を開始し、さらなる高速化技術の開発を行ってまいりました。昨年5月にはDDR3メインメモリのインテル デスクトッププラットフォームでのバリデーションを取得、このたびDDR3 SO-DIMMによるモバイルプラットフォームでのバリデーションも取得いたしました。
インテルのIndustry Initiatives & PathfindingディレクターであるAli Sarabi氏は次のように述べています。
「エルピーダのDDR3テクノロジーがインテルの次世代モバイルプラットフォームでバリデーションを取得したことを非常にうれしくおもいます。パフォーマンスを向上させつつも消費電力を削減できるDDR3メモリテクノロジーは特にモバイルシステムでメリットがあります。」
DDR3メモリは、ハイエンドデスクトップPCでの採用を皮切りに、ノートPC、サーバ機器においてもDDR2メモリからの移行が始まっています。エルピーダのDDR3メモリはその高速、低消費電力特性、安定動作や量産サポート体制が認められ、数社のハイエンドデスクトップPC、ワークステーションに採用され、すでに量産出荷を開始しております。また、ノートPC向けのSO-DIMMでも大手顧客での認定評価が進んでいます。
エルピーダはDDR3のリーディングベンダとして幅広い製品ラインアップを展開、DDR3-1066/800品のみならず、DDR3-1600/1333のサポートも視野に入れております。本年夏にはさらに高性能、低コストの次世代品を、2009年には50nm世代品を投入し、DDR3メモリの普及を推進いたします。
インテルバリデーション取得製品
- 2GB
EBJ21UE8BASA-AE-E（DDR3-1066）
EBJ21UE8BASA-8C-E（DDR3-800）
- 1GB
EBJ11UE6BASA-AE-E（DDR3-1066）
EBJ11UE6BASA-8C-E（DDR3-800）
- 512MB
EBJ51UE6BASA-AE-E（DDR3-1066）
EBJ51UE6BASA-8C-E（DDR3-800）
DDR3 SO-DIMMについて
DDR3 SO-DIMMは1.5Vの低電圧駆動により、低消費電力を実現したノートPC向けの最新メモリです。高速動作を実現するため、単体での8ビットプリフェッチ採用による高速化対応と併せて、DIMMレベルでFly-by方式採用により信号品質を向上させつつ、Time de-skewメカニズムによりDQ/DM/DQS間でのflight time発生を回避して安定した高速動作を実現しています。
以上
 プレス用写真：TIF(1764KB)、JPEG(220KB)
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