エルピーダとキマンダが技術提携

4F² DRAMセルを共同開発

グローバルDRAMサプライヤであるエルピーダ（エルピーダメモリ株式会社、本社：東京都中央区、代表取締役社長兼CEO：坂本幸雄）とキマンダ（Qimonda AG、本社：独ミュンヘン、社長兼CEO：キンワー・ロー）は本日、DRAMの共同開発に関する技術提携の覚書（MOU）を締結いたしました。この提携でキマンダは独自の埋め込み型ワード線（buried wordline）技術のノウハウを、エルピーダは最先端のスタックキャパシタ技術を提供します。この戦略的技術提携により、両社はそれぞれの強みを更に強化し、4F²セルを適用したDRAM製品の開発ロードマップを加速いたします。両社は、共同開発する革新的な4F²セルを2010年頃の40nm世代から導入、さらに30nm世代へと展開する計画です。

「エルピーダとの戦略的提携関係は当社の革新的な埋め込み型ワード線技術にとって非常に大きな貢献となるでしょう。」キマンダの社長兼CEO、キンワー・ローは述べています。
「キマンダは小型の4F²セルの導入を大幅に早めることで、この提携関係を一層強化します。DRAM業界のイノベーターである大手２社が技術提携することで、スケールメリットによるR&Dの効率化や将来的な共同生産の可能性も見出せます。」

エルピーダの社長兼CEO、坂本幸雄は次のように述べています。
「エルピーダはこれまでの研究開発成果により、DRAMテクノロジーをリードしてきました。しかしながら、この激しい競争の中ではよりスピーディに、効率的な技術開発を進めることが必須となります。このたびキマンダと合意した共同開発プログラムは、エルピーダのテクノロジーリーダーシップ、またDRAMマーケットにおけるNo.1への道を確実にするものと確信しています。」

両社は、製品の相互融通と将来的な合弁工場の可能性を視野に入れ、テクノロジープラットフォームと設計ルールを共同開発します。これらの共同開発は、広島とドレスデンそれぞれのサイトにエンジニアを相互派遣し、協調的に行う計画です。さらに、このたびの40nm、30nm世代に向けた4F² DRAM技術の開発のみならず、TSV（貫通電極）と次世代メモリに関しても共同開発の可能性を検討することで合意しております。

本日のMOU締結に続き、キマンダとエルピーダは一定の期間内に最終契約に調印する予定です。

エルピーダについて
エルピーダメモリ株式会社（TSE：6665）は、DRAM（ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ）のリーディングカンパニーです。世界トップレベルの技術力により、開発・設計・製造・販売活動を積極的に展開しています。最先端の製造技術を誇る生産拠点、広島工場、台湾を拠点とする合弁企業レックスチップ、後工程として秋田エルピーダメモリ株式会社を有しています。エルピーダは、大容量、高速、低消費電力、小型パッケージなどの先端製品ラインナップにより、ハイエンドサーバ、携帯電話、デジタル家電など幅広い応用分野にお応えします。
当社に関するさらに詳細な情報は、http://www.elpida.com/ja/ にてご覧いただけます。

キマンダについて
キマンダ（Qimonda AG、本社：独ミュンヘン）は、幅広いDRAM製品ポートフォリオを持つ、グローバルなメモリサプライヤです。キマンダの2007会計年度の売上高は 36.1億ユーロで、世界全体の従業員数は13,500人です。3大陸に5つの300ミリ生産拠点を有しており、6つの主要な研究開発施設をグローバルに展開しています。キマンダは、省電力技術やデザインをベースにコンピュータ、インフラストラクチャ、グラフィックス、モバイルおよびコンシューマ分野向けに幅広い製品ポートフォリオを有しています。詳細についてはwww.qimonda.jpをご参照ください。

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