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2008年7月15日

エルピーダメモリ株式会社

世界最小水準の消費電力で2Gbpsの超高速動作を達成

1.35Vの低電圧仕様にも対応した1GビットDDR3 SDRAMを開発

1Gbit Cu DDR3

エルピーダメモリ株式会社(本社:東京都中央区、代表取締役社長 兼CEO:坂本幸雄 以下、エルピーダ)は、このたび、世界最小水準の消費電力で2Gbpsの超高速動作を実現する1GビットDDR3 SDRAMを開発しました。本製品は省電力化により環境負荷の低減に大きく貢献するもので、エコプロダクツの開発を積極的に推進しているエルピーダにとって、この成果は重要なマイルストーンといえます。

現在、業界内で標準化されているDDR3 SDRAMは、1.5Vの動作電圧で1600Mbpsのスピードを有するDDR3-1600が最高速グレードと位置付けられています。今回開発した製品は、動作電流を当社従来品比で35%削減し、かつ業界標準の1.5Vで1600Mbpsを遥かに凌ぐ動作速度2Gbpsまでサポートしています。さらに、次世代の低電力要求にお応えする1.35V仕様にも対応し、その動作速度は最大で1600Mbpsを達成しました。

エルピーダの最先端65nmプロセスを採用した本製品は、2008年9月からサンプル出荷、10月より量産出荷を開始する予定です。

エルピーダメモリは、サーバをはじめ、DDR3対応モデルの導入が進むPC、高精細画像の高速処理が必要なデジタルTV、今後の市場拡大が見込まれるブルーレイディスクレコーダーなど、低消費電力と高速性の両立が要求されるこれらのアプリケーションをターゲットに拡販活動を積極的に進めてまいります。

エルピーダメモリは、今後もさらなる低消費電力・高速製品の開発に邁進し、時代のニーズに応えるエコプロダクツのラインアップ拡充に努めてまいります。

新製品の主な仕様

1GビットDDR3 SDRAM
製品名 EDJ1104BBSE
EDJ1108BBSE
EDJ1116BBSE
データ転送速度 DDR3-2000 (11-11-11)
DDR3-1867 (11-11-11)
DDR3-1600 (9-9-9)
設計プロセス 65nm
電源電圧 1.5V±0.075V
外形 78ボールFBGA (x4/x8)
(8.00mm×11.50mm)
96ボールFBGA (x16)
(8.00mmx13.50mm)

以上

Press Photo プレス用写真:TIF(1120KB)JPEG(112KB)

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