2008年8月12日
エルピーダメモリ株式会社
世界初、2.5Gbps動作のDDR3 SDRAMを開発
1.2Vの超低電圧駆動も達成
エルピーダメモリ株式会社（本社：東京都中央区、代表取締役社長兼CEO：坂本幸雄）は、世界に先駆け2.5Gbps動作の1GビットDDR3 SDRAMを開発いたしました。この製品は銅（Cu）配線プロセスを前提とした最適化設計、新規回路技術の適用により、高速化のみならず、DDR3の仕様で1.2Vの超低電圧駆動も達成いたしました。
システム全体のパフォーマンス向上には、データレートと消費電力の2つのバランスを取ることが重要となってきており、DDR3を採用するサーバ／PCメーカーはそれぞれのシステム用件に応じた最適なデータレートと電源電圧を選択する要求が高まってきております。そのような要求に答えるため、本製品はDDR3で標準的な1.5V電圧に加え、1.35V、1.2Vの低電圧規格にも対応します。そのうえデータレートに関しても、1.5Vで2.5Gbps，1.2Vで1.8Gbpsと、現在の業界標準の1.5V 1.6Gbpsを遥かにしのぐ速度を実現しております。
新製品の特長は次のとおりです。
- 次世代DDR3のデータレート、電圧領域をカバーする特性を実現
データレート：667Mbps〜2.5Gbps、電源電圧：1.2V〜1.5V - コモンダイ（同一チップ）で、高速動作と超低電圧駆動を両立
1チップでワイドレンジの動作電圧・周波数に対応しており、今後の低電圧・高速システムのみでなく、現在の標準電圧1.5Vの既存システムとの互換性も実現しております。顧客のあらゆるシステム構成の要求を満たす製品となっております。 - 量産中のアルミ配線品と比べ、動作周波数を25%高速化、消費電流は最大22%低減
アルミ配線より、伝送特性の優れた銅（Cu）配線プロセスを用い、設計的にその特性を最大限に生かす新規回路を開発することで、より高速で消費電流を抑える製品を実現できました。1.2V超低電圧駆動が可能な本製品を用いることで、特に大容量のメモリを搭載し長時間稼動するサーバ機器の消費電力削減に大きく貢献できます。また、高速化を追求するハイエンドPCには2.5Gbpsの高速動作によるシステム性能の飛躍的な向上を図れます。
この銅（Cu）配線プロセスを用いたDDR3 SDRAMはサーバやハイエンドPC分野に向け、8月中にサンプル出荷を開始する予定です。また今後、プロセスシュリンクにより、さらなる高速化、低電圧化を推進してまいります。
以上
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（バッファロー社 プレスリリース）
http://buffalo.jp/products/new/2008/000817.html