2008年11月26日
エルピーダメモリ株式会社
50nmプロセスDDR3 SDRAMの開発を完了
世界最小電力、2.5Gbpsの超高速動作、1.2V低電圧駆動を世界最小チップで実現
エルピーダメモリ株式会社（本社：東京都中央区、代表取締役社長 兼CEO：坂本幸雄 以下、エルピーダ）は、このたび、世界最小水準の消費電力、超高速2.5Gbps動作、1.2V低電圧駆動を世界最小のチップサイズで実現した50nmプロセスDDR3 SDRAMの開発を予定どおり完了いたしました。
このたび開発した50nmプロセスDDR3 SDRAMは、世界最新のArF液浸露光および銅配線技術を適用、チップサイズは40mm2以下を実現しました。また、DDR3標準の電源電圧1.5Vに加え、1.35V低電圧仕様、さらなる低電圧の1.2Vにも対応し、サーバ、データセンター等の高密度メモリシステムの低消費電力化に貢献するエコフレンドリーDRAMです。
50nmプロセスDDR3 SDRAMの特長は次のとおりです。
- データレート：800Mbps／1066Mbps／1333Mbps／1600Mbps／1866Mbps／2133Mbps／2500Mbps
- 電源電圧：1.2V／1.35V／1.5V
- 70nmプロセス品に較べ、消費電力は最大50%低減（IDD4）
DDR3 SDRAMは、ハイエンドデスクトップPCでの採用を皮切りに、ノートPC、サーバ機器においてもDDR2 SDRAMからの移行が進んでいます。DDR3のリーディングベンダであるエルピーダは、高速、低消費電力特性、安定動作、幅広い製品ラインアップ展開に加え、さらに高性能、低コストの50nmプロセス品により、DDR3メモリの普及を加速いたします。
このたび開発を完了した50nmプロセスDDR3 SDRAMは、2009年1-3月期の量産開始を予定しています。エルピーダでは、この50nmプロセスを、携帯電話向けのMobile RAM™をはじめ、ハイエンドのデジタル家電向け製品へも積極的に展開してまいります。
以上
Mobile RAMはエルピーダメモリ株式会社の商標です。
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