2009年12月17日
エルピーダメモリ株式会社
65nm XS版の開発完了
ArFドライ露光装置で50nmプロセス（ArF液浸）同等のコスト競争力を
実現した1GビットDDR3 SDRAM
エルピーダメモリ株式会社（本社：東京都中央区、代表取締役社長兼CEO：坂本幸雄 以下、エルピーダ）は、このたび、50nmプロセスと同等レベルのコスト競争力を達成した65nm XS版（エクストラシュリンク版）の1GビットDDR3 SDRAMの開発を完了いたしました。
エルピーダは昨年から続くDRAM不況を背景に、微細化推進と投資抑制型の2本立ての研究開発を行ってまいりました。具体的には、50nm、40nmといった先端プロセスの導入による微細化と並行し、既存のArFドライ露光装置を徹底的に活用するシュリンク版の開発を進めてまいりました。この研究開発の成果として、昨年に65nm S版（シュリンク版）を開発したのに加え、このたび65nm XS版の開発を完了いたしました。
この65nm XS版は65nm S版からさらにチップサイズが縮小するため、300mmウェハ1枚あたりのチップ取得数はS版に較べ、25%増加します。チップサイズを極限まで小さくしたことに加え、製造工程の削減や既存のArFドライ露光装置の活用により装置コストを大幅抑制した結果、50nmプロセス製品と同等レベルのチップコストを実現しています。
この65nm XS版の1Gビット DDR3 SDRAMはPC、サーバ市場をターゲットに2010年第1四半期より量産を開始する計画です。
以上
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