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DDR3 DDR3 Module DDR2 DDR2 Module DDR SDRAM DDR Mobile RAM Mobile RAM XDR MCP

DDR3

70nmプロセスをベースに、デュアルゲート構造トランジスタを導入
1067Mbps / 1333Mbpsの高速データ転送
量産中のDDR2-533 / 667の2倍の速度
低電圧1.5V動作
DDR2の1.8Vから低減
最大容量の8GB (4rank) Registered DIMMも、1Gb製品で構成されます。

デュアルゲート構造: 低電圧で高速に動作する回路を、低リーク電流で実現することを可能にするトランジスタ構造。エルピーダメモリでは、さまざまな問題からDRAM製品への導入は困難と言われたこの技術を、プロセスやレイアウトの改善／工夫によって量産用に確立しました。

DDR3 SDRAMラインアップ

Density:1Gbit

wordxbit	Int. Banks	Grade	Part Number	Class	Supply Voltage	Refresh Cycles	Rev.	Package	Datasheet	Simulation Model	Product Status	Remark
256M x 4	8	DDR3-1333G(8-8-8)	EDJ1104BASE	DG-E	1.5+/-0.075	8K/64ms	A	78-FBGA	E1128E20		Ask
		DDR3-1333H(9-9-9)		DJ-E
		DDR3-1066E(6-6-6)		AC-E
		DDR3-1066F(7-7-7)		AE-E
		DDR3-1066G(8-8-8)		AG-E
		DDR3-800D(5-5-5)		8A-E
		DDR3-800E(6-6-6)		8C-E
128M x 8	8	DDR3-1600J(10-10-10)	EDJ1108BABG	GL-E			A		TBD		Ask
		DDR3-1600K(11-11-11)		GN-E					TBD
		DDR3-1333G(8-8-8)		DG-E					E1248E10
		DDR3-1333H(9-9-9)		DJ-E
		DDR3-1066E(6-6-6)		AC-E
		DDR3-1066F(7-7-7)		AE-E
		DDR3-1066G(8-8-8)		AG-E
		DDR3-800D(5-5-5)		8A-E
		DDR3-800E(6-6-6)		8C-E
	8	DDR3-1600J(10-10-10)	EDJ1108BASE	GL-E			A		TBD		Ask
		DDR3-1600K(11-11-11)		GN-E					TBD
		DDR3-1333G(8-8-8)		DG-E					E1128E20
		DDR3-1333H(9-9-9)		DJ-E
		DDR3-1066E(6-6-6)		AC-E
		DDR3-1066F(7-7-7)		AE-E
		DDR3-1066G(8-8-8)		AG-E
		DDR3-800D(5-5-5)		8A-E
		DDR3-800E(6-6-6)		8C-E
64M x 16	8	DDR3-1333G(8-8-8)	EDJ1116BABG	DG-E			A	96-FBGA	E1248E10		Ask
		DDR3-1333H(9-9-9)		DJ-E
		DDR3-1066E(6-6-6)		AC-E
		DDR3-1066F(7-7-7)		AE-E
		DDR3-1066G(8-8-8)		AG-E
		DDR3-800D(5-5-5)		8A-E
		DDR3-800E(6-6-6)		8C-E
	8	DDR3-1333G(8-8-8)	EDJ1116BASE	DG-E			A		E1128E20		Ask
		DDR3-1333H(9-9-9)		DJ-E
		DDR3-1066E(6-6-6)		AC-E
		DDR3-1066F(7-7-7)		AE-E
		DDR3-1066G(8-8-8)		AG-E
		DDR3-800D(5-5-5)		8A-E
		DDR3-800E(6-6-6)		8C-E

Density:512Mbit

wordxbit	Int. Banks	Grade	Part Number	Class	Supply Voltage	Refresh Cycles	Rev.	Package	Datasheet	Simulation Model	Product Status	Remark
64M x 8	8	DDR3-1333G(8-8-8)	EDJ5308BBBG	DG-F	1.5+/-0.075V	8K/64ms	B	78-FBGA	E1349E20		UD
		DDR3-1333H(9-9-9)		DJ-F
		DDR3-1066F(7-7-7)		AE-F
32M x 16	8	DDR3-1333G(8-8-8)	EDJ5316BBBG	DG-F			B	96-FBGA	E1349E20		UD
		DDR3-1333H(9-9-9)		DJ-F
		DDR3-1066F(7-7-7)		AE-F

*Product Status: UD：開発中、 ES：サンプル出荷中、 MP：量産中、 Ask：製品状況は弊社営業にご確認ください

DDR3 SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR SDRAMの比較

項目	DDR3 SDRAM	DDR2 SDRAM	DDR SDRAM
クロック周波数	400/533/667MHz	200/266/333/400MHz	100/133/166/200MHz
データ転送速度	800/1066/1333Mbps	400/533/667/800Mbps	200/266/333/400Mbps
I/O幅	x4/x8/x16	x4/x8/x16	x4/x8/x16/x32
プリフェッチ	8ビット	4ビット	2ビット
クロック入力	ディファレンシャルクロック	ディファレンシャルクロック	ディファレンシャルクロック
バースト長	4（バーストチョップ）, 8	4, 8	2, 4, 8
データストローブ形式	ディファレンシャルデータストローブ	ディファレンシャルデータストローブ	シングルデータストローブ
電源電圧	1.5V	1.8V	2.5V
I/Oインタフェース	SSTL_15	SSTL_18	SSTL_2
/CASレーテンシ（CL）	5, 6, 7, 8, 9, 10クロック	3, 4, 5クロック	2, 2.5, 3クロック
On die termination（ODT）	対応	対応	非対応
単体パッケージ	FBGA	FBGA	TSOP(II) / FBGA / LQFP
鉛フリー	対応	対応	対応

DDR3 ニュースリリース

2006年2月8日
世界最速の動作速度を実現する512MビットDDR3 SDRAMの回路技術（2006年2月8日）
次世代DRAM仕様の1.5V低電圧で高速低電力動作を実現
2005年11月14日
512MビットDDR3 SDRAMサンプル出荷開始（2005年11月14日）
インテルへDDR3 SDRAM搭載ギガヘルツ級高速DIMMサンプルを出荷
2005年8月23日
512MビットDDR3 SDRAM開発完了（2005年8月23日）
DRAM製品で初めて、デュアルゲート構造トランジスタを採用
DDR2の2倍の高速性能を実現する、次世代SDRAMを開発


	*	Denali Software 社の協力により、シミュレーション・モデル (SOMA ライブラリ)を提供しています。こちらのサイトをご利用ください。 <www.eMemory.com>
	*	Verilog 、VHDL シミュレータでSOMA ライブラリを使用するにはDenali Software 社の「Memory Modeler」ライセンスが必要です。日本国内での取り扱いはデナリソフトウエア株式会社 <www.denalisoft.co.jp>にお問い合わせください。

	*	Synopsys 社の協力により、シミュレーション・モデルを提供しています。こちらのサイトをご利用ください。 <http://www.synopsys.com/products/designware/memorycentral/search.html>
	*	Verilog、VHDLシミュレータでMemoryModelを使用する際はSynopsys社のDesignWareLibraryまたはDesignWareVerificationLibraryのライセンスが必要です。日本国内での取り扱いは日本シノプシス株式会社<mkg_info@synopsys.co.jp>までお問い合わせください。