EBE41FE4ABHD
- 容量：4GB
- ビット構成
−512M words x 72 bits, 2 ranks
- 1G bits DDR2 SDRAM（sFBGA）を36個搭載
- パッケージ
−240-pin fully buffered, socket type dual in line memory module (FB-DIMM)
基板高さ：30.35mm
端子ピッチ：1.0mm
−Advanced Memory Buffer (AMB): 655-ball FCBGA
−鉛フリー（RoHS指令準拠）
- 電源電圧
−DDR2 SDRAM: VDD = 1.8V +/- 0.1V
−AMB: VCC = 1.5V +0.075V/-0.045
- データレート：667Mbps/533Mbps (max.)
- 4バンク並列動作（components）
- インターフェース：SSTL_18
- バースト長（BL）：4, 8
- /CASレーテンシ（CL）：3, 4, 5
- プリチャージ：バーストリード／ライト時オートプリチャージ選択可能
- リフレッシュ：オートリフレッシュ、セルフリフレッシュ
- リフレッシュサイクル：8192 cycles/64ms
−リフレッシュ間隔
0℃ ≦ TC ≦ +85℃の場合、7.8 µs
+85℃ ＜ TC ≦ +95℃の場合、3.9 µs
- 動作温度範囲（ケース）
−TC = 0℃ 〜 +95℃
- JEDEC standard Raw Card D Design
- Industry Standard Advanced Memory Buffer (AMB)
- High-speed differential point-to-point link interface at 1.5V (JEDEC draft spec)
-14 north-bound (NB) high speed serial lanes
-10 south-bound (SB) high speed serial lanes
- Various features/modes:
-MemBIST and IBIST test functions
-Transparent mode and direct access mode for DRAM testing
-Interface for a thermal sensor and status indicator
- Channel error detection and reporting
- Automatic DDR2 SDRAM bus and channel calibration
- SPD (serial presence detect) with 1 piece of 256 byte serial EEPROM
| Part Number |
Grade |
Package |
Datasheet |
IBIS |
Verilog |
| EBE41FE4ABHD-6E-E |
PC2-5300F |
sFBGA |
E0931E20 |
TBD |
|
| EBE41FE4ABHD-5C-E |
PC2-4200F |
sFBGA |
E0931E20 |
TBD |
|
|
