EBJ20RE4BAFA

仕様

• 容量：2GB
• ビット構成
  −256M words x 72 bits, 1 rank
• 1G bits DDR3 SDRAM（FBGA）を18個搭載
• パッケージ：240-pin socket type dual in line memory module (DIMM)
  −基板高さ：30.5mm
  −端子ピッチ：1.0mm
  −鉛フリー（RoHS指令準拠）
• 電源電圧：VDD = 1.5V ± 0.075V
• データレート：1333Mbps/1066Mbps/800Mbps (max.)
• 8バンク並列動作（components）
• インターフェース：SSTL_15
• バースト長（BL）：8 and 4 with Burst Chop (BC)
• /CASレーテンシ（CL）：5, 6, 7, 8, 9
• /CAS write latency (CWL): 5, 6, 7
• プリチャージ：バーストリード／ライト時オートプリチャージ選択可能
• リフレッシュ：オートリフレッシュ、セルフリフレッシュ
• リフレッシュサイクル
  −リフレッシュ間隔
   0℃ ≦ TC ≦ +85℃の場合、7.8 µs
   +85℃ ＜ TC ≦ +95℃の場合、3.9 µs
• 動作温度範囲（ケース）
  −TC = 0℃ 〜 +95℃

特長

• ダブルデータレートアーキテクチャーにより、1クロックにつき2ビット分のデータ転送を実施
• 4ビットプリフェッチ/パイプラインアーキテクチャーにより高速データ転送を実現
• レシーバでのデータ取り込みに使用のため、双方向性データストローブ（DQS, /DQS）をデータと共に送受信
• リードデータはDQSのエッジに、ライトデータはDQSのセンターに同期して動作
• 差動クロックを採用（CK and /CK）
• DLLがクロックにあわせてDQとDQSのタイミングを調整
• コマンド入力はCKの立ち上がりエッジ側に、入出力およびデータマスクはDQSの立ち上がりと立ち下がりの両エッジに同期
• Additive Latency（AL）設定とPosted CAS機能によりコマンドとバス効率が向上
• On-Die-Termination (ODT) for better signal quality
  - Synchronous ODT
  - Dynamic ODT
  - Asynchronous ODT
• Multi Purpose Register (MPR) for temperature read out
• ZQ calibration for DQ drive and ODT
• Programmable Partial Array Self-Refresh (PASR)
• /RESET pin for Power-up sequence and reset function
• SRT range:
  - Normal/extended
  - Auto/manual self-refresh
• Programmable Output driver impedance control
• 1 piece of registering clock driver and 1 piece of serial EEPROM (256 bytes EEPROM) for Presence Detect (PD)
• Class B temperature sensor functionality with EEPROM

製品ラインアップ

ユーザーズマニュアル、テクニカルノート

• モジュール取り扱いガイド - TN (PDF: 589KB)