EBJ21UE8BASA
- 容量：2GB
- ビット構成
−256M words x 64 bits, 2 ranks
- 1G bits DDR3 SDRAM（FBGA）を16個搭載
- パッケージ：204-pin socket type small outline dual in line memory module (SO-DIMM)
−基板高さ：30.0mm
−端子ピッチ：0.6mm
−鉛フリー（RoHS指令準拠）
- 電源電圧：VDD = 1.5V ± 0.075V
- データレート：1333Mbps1066Mbps/800Mbps (max.)
- 8バンク並列動作（components）
- インターフェース：SSTL_15
- バースト長（BL）：8 and 4 with Burst Chop (BC)
- /CASレーテンシ（CL）：5, 6, 7, 8, 9
- /CAS write latency (CWL): 5, 6, 7
- プリチャージ：バーストリード／ライト時オートプリチャージ選択可能
- リフレッシュ：オートリフレッシュ、セルフリフレッシュ
- リフレッシュサイクル
−リフレッシュ間隔
0℃ ≦ TC ≦ +85℃の場合、7.8 µs
+85℃ ＜ TC ≦ +95℃の場合、3.9 µs
- 動作温度範囲（ケース）
−TC = 0℃ 〜 +95℃
- ダブルデータレートアーキテクチャーにより、1クロックにつき2ビット分のデータ転送を実施
- 4ビットプリフェッチ/パイプラインアーキテクチャーにより高速データ転送を実現
- レシーバでのデータ取り込みに使用のため、双方向性データストローブ（DQS, /DQS）をデータと共に送受信
- リードデータはDQSのエッジに、ライトデータはDQSのセンターに同期して動作
- 差動クロックを採用（CK and /CK）
- DLLがクロックにあわせてDQとDQSのタイミングを調整
- コマンド入力はCKの立ち上がりエッジ側に、入出力およびデータマスクはDQSの立ち上がりと立ち下がりの両エッジに同期
- Data mask (DM) for write data
- Additive Latency（AL）設定とPosted CAS機能によりコマンドとバス効率が向上
- On-Die-Termination (ODT) for better signal quality
- Synchronous ODT
- Dynamic ODT
- Asynchronous ODT
- Multi Purpose Register (MPR) for temperature read out
- ZQ calibration for DQ drive and ODT
- Programmable Partial Array Self-Refresh (PASR)
- /RESET pin for Power-up sequence and reset function
- SRT range:
- Normal/extended
- Auto/manual self-refresh
- Programmable Output driver impedance control
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