Elpida Memory, Inc.
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EDE1104ABSE

仕様

  • 容量:1G bits
  • ビット構成
    −32M words x 4 bits x 8 banks
  • パッケージ:68-ball FBGA
    −鉛フリー(RoHS指令準拠)
  • 電源電圧:VDD, VDDQ = 1.8V ± 0.1V
  • データレート:667Mbps/533Mbps (max.)
  • 1KBページサイズ
    −ロウアドレス:A0 to A13
    −カラムアドレス:A0 to A9, A11
  • 8バンク並列動作
  • インターフェース:SSTL_18
  • バースト長(BL):4, 8
  • バーストタイプ(BT):
    −シーケンシャル (4, 8)
    −インターリーブ (4, 8)
  • /CASレーテンシ(CL):3, 4, 5
  • プリチャージ:バーストリード/ライト時オートプリチャージ選択可能
  • 出力ドライバ強度:normal/weak
  • リフレッシュ:オートリフレッシュ、セルフリフレッシュ
  • リフレッシュサイクル:8192 cycles/64ms
    −リフレッシュ間隔
     0℃ ≦ TC ≦ +85℃の場合、7.8 µs
     +85℃ < TC ≦ +95℃の場合、3.9 µs
  • 動作温度範囲(ケース)
    −TC = 0℃ 〜 +95℃

特長

  • ダブルデータレートアーキテクチャーにより、1クロックにつき2ビット分のデータ転送を実施
  • 4ビットプリフェッチ/パイプラインアーキテクチャーにより高速データ転送を実現
  • レシーバでのデータ取り込みに使用のため、双方向性データストローブ(DQS, /DQS)をデータと共に送受信
  • リードデータはDQSのエッジに、ライトデータはDQSのセンターに同期して動作
  • 差動クロックを採用(CK and /CK)
  • DLLがクロックにあわせてDQとDQSのタイミングを調整
  • コマンド入力はCKの立ち上がりエッジ側に、入出力およびデータマスクはDQSの立ち上がりと立ち下がりの両エッジに同期
  • ライトデータへのデータマスク(DM)
  • Additive Latency(AL)設定とPosted CAS機能によりコマンドとバス効率が向上
  • Off-Chip-Driver Impedance Adjustment機能とOn-Die-Termination機能による信号ノイズ低減
  • x8構成品は、RDQS、/RDQS設定によりx4構成とコンパチブル
  • /DQS,(/RDQS)はシングルデータストローブ動作のディスエイブルに設定可能

製品ラインアップ

Part Number Grade Package Datasheet IBIS Verilog
EDE1104ABSE-6E-E DDR2-667(5-5-5) 68-FBGA E0852E50 ede1104abse_10 ede1104ab_6e_1016_vp
EDE1104ABSE-5C-E DDR2-533(4-4-4) 68-FBGA E0852E50 ede1104abse_10 ede1104ab_5c_1016_vp

ユーザーズマニュアル、テクニカルノート