EDE2508ABSE
- 容量：256M bits
- ビット構成
−8M words x 8 bits x 4 banks
- パッケージ：60-ball FBGA
−鉛フリー（RoHS指令準拠）
- 電源電圧：VDD, VDDQ = 1.85V ± 0.1V (800Mbps)
- 電源電圧：VDD, VDDQ = 1.8V ± 0.1V (667Mbps/533Mbps)
- データレート：800Mbps/667Mbps/533Mbps (max.)
- 1KBページサイズ
−ロウアドレス：A0 to A12
−カラムアドレス：A0 to A9
- 4バンク並列動作
- インターフェース：SSTL_18
- バースト長（BL）：4, 8
- バーストタイプ（BT）：
−シーケンシャル (4, 8)
−インターリーブ (4, 8)
- /CASレーテンシ（CL）：5 (800Mbps)
- /CASレーテンシ（CL）：4, 5 (667Mbps/533Mbps)
- プリチャージ：バーストリード／ライト時オートプリチャージ選択可能
- 出力ドライバ強度：normal/weak
- リフレッシュ：オートリフレッシュ、セルフリフレッシュ
- リフレッシュサイクル：8192 cycles/64ms
−リフレッシュ間隔
0℃ ≦ TC ≦ +85℃の場合、7.8 µs
+85℃ ＜ TC ≦ +95℃の場合、3.9 µs
- 動作温度範囲（ケース）
−TC = 0℃ 〜 +95℃
- ダブルデータレートアーキテクチャーにより、1クロックにつき2ビット分のデータ転送を実施
- 4ビットプリフェッチ/パイプラインアーキテクチャーにより高速データ転送を実現
- レシーバでのデータ取り込みに使用のため、双方向性データストローブ（DQS, /DQS）をデータと共に送受信
- リードデータはDQSのエッジに、ライトデータはDQSのセンターに同期して動作
- 差動クロックを採用（CK and /CK）
- DLLがクロックにあわせてDQとDQSのタイミングを調整
- コマンド入力はCKの立ち上がりエッジ側に、入出力およびデータマスクはDQSの立ち上がりと立ち下がりの両エッジに同期
- ライトデータへのデータマスク（DM）
- Additive Latency（AL）設定とPosted CAS機能によりコマンドとバス効率が向上
- Off-Chip-Driver Impedance Adjustment機能とOn-Die-Termination機能による信号ノイズ低減
- x8構成品は、RDQS、/RDQS設定によりx4構成とコンパチブル
- /DQS,（/RDQS）はシングルデータストローブ動作のディスエイブルに設定可能
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