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EDJ5316BBBG

仕様

  • 容量:512M bits
  • ビット構成
    −4M words x 16 bits x 8 banks
  • パッケージ:96-ball FBGA
    −鉛フリー(RoHS指令準拠)、ハロゲンフリー
  • 電源電圧:VDD, VDDQ = 1.5V ± 0.075V
  • データレート:1333Mbps/1066Mbps (max.)
  • 2KBページサイズ
    −ロウアドレス:A0 to A11
    −カラムアドレス:A0 to A9
  • 8バンク並列動作
  • インターフェース:SSTL_15
  • バースト長(BL):8 and 4 with Burst Chop (BC)
  • バーストタイプ(BT):
    −シーケンシャル (8, 4 with BC)
    −インターリーブ (8, 4 with BC)
  • /CASレーテンシ(CL):5, 6, 7, 8, 9, 10
  • /CAS Writeレーテンシ(CWL):5, 6, 7
  • プリチャージ:バーストリード/ライト時オートプリチャージ選択可能
  • 出力ドライバ強度:RZQ/7, RZQ/6 (RZQ = 240Ω)
  • リフレッシュ:オートリフレッシュ、セルフリフレッシュ
  • リフレッシュサイクル
    −リフレッシュ間隔
     0℃ ≦ TC ≦ +85℃の場合、7.8 µs
     +85℃ < TC ≦ +95℃の場合、3.9 µs
  • 動作温度範囲(ケース)
    −TC = 0℃ 〜 +95℃

特長

  • ダブルデータレートアーキテクチャーにより、1クロックにつき2ビット分のデータ転送を実施
  • 8ビットプリフェッチ/パイプラインアーキテクチャーにより高速データ転送を実現
  • レシーバでのデータ取り込みに使用のため、双方向性データストローブ(DQS, /DQS)をデータと共に送受信
  • リードデータはDQSのエッジに、ライトデータはDQSのセンターに同期して動作
  • 差動クロックを採用(CK and /CK)
  • DLLがクロックにあわせてDQとDQSのタイミングを調整
  • コマンド入力はCKの立ち上がりエッジ側に、入出力およびデータマスクはDQSの立ち上がりと立ち下がりの両エッジに同期
  • ライトデータへのデータマスク(DM)
  • Additive Latency(AL)設定とPosted CAS機能によりコマンドとバス効率が向上
  • On-Die Termination (ODT) for better signal quality - Synchronous ODT
    - Dynamic ODT
    - Asynchronous ODT
  • ZQ calibration for DQ drive and ODT
  • Programmable Partial Array Self-Refresh (PASR)
  • /RESET pin for Power-up sequence and reset function
  • SRT range:
    - Normal/extended
    - Auto/manual self-refresh
  • Programmable Output driver impedance control

製品ラインアップ

Part Number Grade Package Datasheet IBIS Verilog
EDJ5316BBBG-DG-F DDR3-1333G(8-8-8) 96-FBGA E1349E20 TBD TBD
EDJ5316BBBG-DJ-F DDR3-1333H(9-9-9) 96-FBGA E1349E20 TBD TBD
EDJ5316BBBG-AE-F DDR3-1066F(7-7-7) 96-FBGA E1349E20 TBD TBD

ユーザーズマニュアル、テクニカルノート