EDX5116ADSE
EDX5116ADSEは32Mワードｘ16ビット構成の 512MビットXDR DRAMです。XDR DRAMは多様なアプリケーションにお使いいただける高性能汎用メモリです。
差動ラムバス信号レベル(DRSL)技術を使用することにより、従来のシステムデザイン、ボードデザイン使用時においても、ピンあたり4800／4000／3200 Mb／sの転送レートを可能にしました。XDR DRAMは9600／8000／6400 MB／sのデータ転送が可能です。
XDR DRAMアーキテクチャは、ランダムアドレスに対する複数のインターリーブ転送時においても、最大バンド幅を保持します。XDR DRAM の効率的なプロトコル構成は、95%以上のバス効率を実現し同時に細分化したアクセスも可能にします。XDR DRAMは8バンク構成を採用し、最大4 インターリーブ処理が可能です。
本製品は104ボールFBGAパッケージです。Rambus社のXDR DRAMピン配置に準拠しています。
- ピンあたり高バンドが可能
4800/4000／3200 Mb／s オクタルデータレート（ODR）信号
- 双方向差動ラムバス信号レベル (DRSL)
- リード／ライト動作のバンド幅をフレキシブルに割り当て
- ピン数の削減
- オンチップ終端
- アダプティブなインピーダンスマッチング
- システムコスト削減と配線の簡略化が可能
- DRAM1個あたりの最高バンド幅を実現
- 9600／8000／6400 MB／sのデータ転送レート
- 8バンク構成：最大バンド幅でのバンクインターリーブ処理
- ダイナミックリクエストスケジューリング
- アーリーリードアフターライト（ERAW)機能による効率化
- リフレッシュオーバーヘッドなし
- ダイナミックにI/O幅を変更可能
- EDX5116ADSEは×16、×8、×4 モードをサポート
- 低レーテンシ
- 1.667／2.0／2.5 ns リクエストパケット
- ポイントツーポイント接続によりフライトタイムが最少
- 低レーテンシ、高速サイクルのコアもサポート
- ローパワー
- 1.8V Vdd
- プログラマブル低振幅I/O 信号（DRSL）
- ローパワーPLL／DLL
- パワーダウンセルフリフレッシュモード
- ×4／×8モード時の不使用ピンパワーダウン
- 鉛フリー対応（RoHs指令準拠）
|
