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 エルピーダメモリは、2005年8月に次世代の高速DRAM、512MビットDDR3 SDRAMの開発を完了しました。 本製品は、1.5Vという低電圧でDDR2の2倍にあたる1333Mbpsの高速動作を実現しています。
本製品は、DRAM量産品としてはじめてデュアルゲート構造トランジスタを導入しています。これにより、1.5Vの低電圧ながら高速な動作を実現する製品の安定供給を可能にしています。
 エルピーダメモリのDDR2 SDRAMは最高1066Mbpsの転送速度を実現した高性能メモリです。独自の回路技術により、DDR400の2倍以上の高速動作を低消費電力で実現しました。パッケージは高速動作時においても正確な信号伝播が可能なFBGAを採用しています。
DDR2 SDRAMは高速動作・低消費電力という相反するニーズに応える、あらゆるハイエンドシステムに最適なメモリです。
 1クロックで2つのデータ入出力を行うDDR SDRAMは現在、デジタル家電等で幅広く使われています。エルピーダメモリではこのDDR SDRAMの大容量化と高速化に成功し、単体容量 128M〜1Gビットまで、幅広い製品をご提供しております。エルピーダメモリは今後もお客様に最適なソリューションをご提案いたします。
エルピーダは、高速・大容量化に伴う市場ニーズにフレキシブルに対応できるよう最高166MHzで動作するSDRAMをラインナップしております。
近年、携帯電話、PDA等のモバイル機器を取り巻く環境は、インターネットの爆発的普及と第３世代携帯電話に代表される無線通信インフラの性能向上により、動画、音楽、位置情報といった大容量データを高速に処理することが必要になってきております。このような背景のもと、大容量・高速・低消費電力を実現したRAMのニーズが高まってきました。
Mobile RAM は、この大容量・高速・低消費電力を実現したモバイル機器に最適なメモリです。
 超高速メモリとして期待されるXDRの開発にエルピーダはいち早く着手しております。今後デジタルTVやネットワーク機器を中心に増えるであろう需要に対して積極的にソリューションを提案いたします。
Mobile RAMはエルピーダメモリ株式会社の商標です。
Rambus、Rambusロゴは米国およびその他の国におけるラムバス社の登録商標です。その他記載されている製品名、会社名は、ラムバス社もしくは保有各社の登録商標または商標です。 |
