エルピーダは、米国ラムバス社のライセンスのもと、世界に先駆けて×32ビット構成の1GビットXDR DRAMを製品化しました。この製品は7.2GHzの超高速動作、1デバイスで28.8Gバイト/秒のデータ転送レートを実現しています。XDRはゲーム機、デジタルテレビ、ブルーレイディスクレコーダー・プレーヤーなど、フルHD対応により高いバンド幅を必要とする高性能アプリケーションに最適なメモリです。
特徴
ピンあたりのバンド幅
- 4.8/4.0/3.2Gbps オクタルデータレート（ODR）信号
600/500/400MHzのシステムクロックに対して8倍の4.8/4.0/3.2GHzでのデータ転送が可能 - 双方向差動ラムバス信号レベル（DRSL）
リード／ライト動作のバンド幅をフレキシブルに割り当て
ピン数を削減 - オンチップ終端
システム設計と配線の簡素化により低コストを実現
低消費電力
- 1.8V(512Mb) / 1.5V(1Gb) VDD
- 低振幅I/O信号（DRSL）（200ｍV）
- パワーダウン機能搭載
DRAMデバイスあたりの実効バンド幅
- ピークバンド幅
9.6GB/s (4.8E), 8.0GB/s (4.0D), 6.4GB/s (3.2A, 3.2B, 3.2C) - 8バンク構成
バンクインターリーブ処理時にも最大バンド幅を保持 - ダイナミックリクエストスケジュール
- アーリーリードアフターライト（ERAW）サポートにより最大効率を保持
- オーバーヘッドなしのリフレッシュ
パッケージ
- 104ボールFBGA (x16)
ボールピッチ 1.27mm/0.8mm - 150ボールFBGA (x32)
ボールピッチ 1.0mm/1.0mm
ラインアップ
| wordxbit | Int. Banks | Grade | Part Number | Class | Supply Voltage | Refresh Cycles | Rev. | Package | Datasheet | Simulation Model | Product Status | Remark |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 64M x 16 | 8 | 4.8E | EDX1016BASE | 5E-F | 1.5V+/-0.075V | 16ms | A | 104-FBGA | E1332E40X | – | ES | Lead & Halogen Free |
| 4.0D | 4D-F | – | ES | Lead & Halogen Free | ||||||||
| 3.2C | 3C-F | – | ES | Lead & Halogen Free | ||||||||
| 32M x 32 | 8 | 3.2C | EDX1032BASE | 3C-F | 1.5V+/-0.075V | 16ms | A | 150-FBGA | E1332E40X | Lead & Halogen Free |
| wordxbit | Int. Banks | Grade | Part Number | Class | Supply Voltage | Refresh Cycles | Rev. | Package | Datasheet | Simulation Model | Product Status | Remark |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 32M x 16 | 8 | 4.8E | EDX5116ADSE | 5E-E | 1.875V+/-0.075V | 16ms | D | 104-FBGA | E1198E20X | – | ES | |
| 4.0D | 4D-E | 1.8V+/-0.09V | E1033E30 | – | MP | |||||||
| 3.2C | 3C-E | – | MP |
*Product Status: UD:Under Development, ES:Engineering Sample, MP:Mass Production, Ask:Contact Elpida sales to check the production status