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XDR DRAM

エルピーダは、米国ラムバス社のライセンスのもと、世界に先駆けて×32ビット構成の1GビットXDR DRAMを製品化しました。この製品は7.2GHzの超高速動作、1デバイスで28.8Gバイト/秒のデータ転送レートを実現しています。XDRはゲーム機、デジタルテレビ、ブルーレイディスクレコーダー・プレーヤーなど、フルHD対応により高いバンド幅を必要とする高性能アプリケーションに最適なメモリです。

特徴

ピンあたりのバンド幅

  • 4.8/4.0/3.2Gbps オクタルデータレート(ODR)信号
    600/500/400MHzのシステムクロックに対して8倍の4.8/4.0/3.2GHzでのデータ転送が可能
  • 双方向差動ラムバス信号レベル(DRSL)
    リード/ライト動作のバンド幅をフレキシブルに割り当て
    ピン数を削減
  • オンチップ終端
    システム設計と配線の簡素化により低コストを実現

低消費電力

  • 1.8V(512Mb) / 1.5V(1Gb) VDD
  • 低振幅I/O信号(DRSL)(200mV)
  • パワーダウン機能搭載

DRAMデバイスあたりの実効バンド幅

  • ピークバンド幅
    9.6GB/s (4.8E), 8.0GB/s (4.0D), 6.4GB/s (3.2A, 3.2B, 3.2C)
  • 8バンク構成
    バンクインターリーブ処理時にも最大バンド幅を保持
  • ダイナミックリクエストスケジュール
  • アーリーリードアフターライト(ERAW)サポートにより最大効率を保持
  • オーバーヘッドなしのリフレッシュ

パッケージ

  • 104ボールFBGA (x16)
    ボールピッチ 1.27mm/0.8mm
  • 150ボールFBGA (x32)
    ボールピッチ 1.0mm/1.0mm

XDR DRAM

ラインアップ

1Gbit

wordxbit Int. Banks Grade Part Number Class Supply Voltage Refresh Cycles Rev. Package Datasheet Simulation Model Product Status Remark
64M x 16 8 4.8E EDX1016BASE 5E-F 1.5V+/-0.075V 16ms A 104-FBGA E1332E40X ES Lead & Halogen Free
4.0D 4D-F ES Lead & Halogen Free
3.2C 3C-F ES Lead & Halogen Free
32M x 32 8 3.2C EDX1032BASE 3C-F 1.5V+/-0.075V 16ms A 150-FBGA E1332E40X Lead & Halogen Free

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512Mbit

wordxbit Int. Banks Grade Part Number Class Supply Voltage Refresh Cycles Rev. Package Datasheet Simulation Model Product Status Remark
32M x 16 8 4.8E EDX5116ADSE 5E-E 1.875V+/-0.075V 16ms D 104-FBGA E1198E20X ES  
4.0D 4D-E 1.8V+/-0.09V E1033E30 MP
3.2C 3C-E MP

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*Product Status: UD:Under Development, ES:Engineering Sample, MP:Mass Production, Ask:Contact Elpida sales to check the production status


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